Vishay N-Kanal, MOSFET, 6.2 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, IRFBC
- RS-varenummer:
- 542-9513
- Producentens varenummer:
- IRFBC40PBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 19,30
(ekskl. moms)
Kr. 24,12
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 776 enhed(er) afsendes fra 14. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 19,30 |
| 10 - 49 | Kr. 17,35 |
| 50 - 99 | Kr. 16,68 |
| 100 - 249 | Kr. 15,86 |
| 250 + | Kr. 13,54 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 542-9513
- Producentens varenummer:
- IRFBC40PBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | IRFBC | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.2Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 60nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 4.7mm | |
| Højde | 9.01mm | |
| Længde | 10.41mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie IRFBC | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.2Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 60nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 4.7mm | ||
Højde 9.01mm | ||
Længde 10.41mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MOSFET, 600 V til 1000 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 6.2 A 600 V Forbedring TO-220, IRFBC
- STMicroelectronics N-Kanal 6.2 A 800 V Forbedring TO-220 SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 15 A 600 V Forbedring TO-220
- STMicroelectronics N-Kanal 33 A 600 V Forbedring TO-220, STO67N60DM6
- Infineon N-Kanal 20.7 A 600 V Forbedring TO-220, SPA20N60C3
- STMicroelectronics N-Kanal 13 A 600 V Forbedring TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics N-Kanal 20 A 600 V Forbedring TO-220, FDmesh
- ROHM N-Kanal 23 A 600 V Forbedring TO-220, R6055VNX