Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 3.6 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, IRFBC30A
- RS-varenummer:
- 708-4768
- Producentens varenummer:
- IRFBC30APBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 41,29
(ekskl. moms)
Kr. 51,61
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 04. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 8,258 | Kr. 41,29 |
| 50 - 120 | Kr. 7,016 | Kr. 35,08 |
| 125 - 245 | Kr. 6,628 | Kr. 33,14 |
| 250 - 495 | Kr. 6,194 | Kr. 30,97 |
| 500 + | Kr. 4,952 | Kr. 24,76 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 708-4768
- Producentens varenummer:
- IRFBC30APBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3.6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | IRFBC30A | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.2Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 23nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 74W | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 9.01mm | |
| Bredde | 4.7 mm | |
| Længde | 10.41mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie IRFBC30A | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.2Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 23nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 74W | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 9.01mm | ||
Bredde 4.7 mm | ||
Længde 10.41mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal MOSFET, 600 V til 1000 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 3.6 A 600 V Forbedring TO-220, IRFBC30A
- Vishay Type N-Kanal 3.6 A 600 V Forbedring TO-220, IRFBC30
- Vishay Type N-Kanal 3.6 A 600 V Forbedring TO-263, SiHFBC30AS
- Vishay Type N-Kanal 2.2 A 600 V Forbedring TO-220, IRFBC
- Vishay Type N-Kanal 6.2 A 600 V Forbedring TO-220, IRFBC
- Vishay Type N-Kanal 9.2 A 600 V Forbedring TO-220, IRFB9N60A
- Vishay Type N-Kanal 13 A 600 V Forbedring TO-220, SIHF
- Vishay Type N-Kanal 29 A 600 V Forbedring TO-220, E
