Vishay N-Kanal, MOSFET, 17 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, IRL
- RS-varenummer:
- 543-0456
- Producentens varenummer:
- IRL640SPBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 22,44
(ekskl. moms)
Kr. 28,05
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 05. juli 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 22,44 |
| 10 - 49 | Kr. 21,09 |
| 50 - 99 | Kr. 18,92 |
| 100 - 249 | Kr. 18,03 |
| 250 + | Kr. 16,98 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 543-0456
- Producentens varenummer:
- IRL640SPBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 17A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Serie | IRL | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 180mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 3.1W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 2V | |
| Portkildespænding maks. | -10V, +10V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 66nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 9.65mm | |
| Højde | 4.83mm | |
| Længde | 10.67mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 17A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Serie IRL | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 180mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 3.1W | ||
Gennemgangsspænding Vf 2V | ||
Portkildespænding maks. -10V, +10V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 66nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 9.65mm | ||
Højde 4.83mm | ||
Længde 10.67mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MOSFET, 200 V til 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 17 A 200 V Forbedring TO-263, IRL
- ROHM N-Kanal 17 A 1200 V Forbedring TO-263
- Vishay N-Kanal 9 A 200 V Forbedring TO-220, IRL
- onsemi N-Kanal 18 A 200 V Forbedring TO-220, IRL
- ROHM N-Kanal 17 A 1200 V Forbedring TO-263, SCT
- STMicroelectronics N-Kanal 17 A 800 V Forbedring TO-263, MDmesh
- STMicroelectronics N-Kanal 17 A 650 V Forbedring TO-263, MDmesh
- Infineon N-Kanal 17 A 100 V Forbedring TO-263, HEXFET