Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 1.5 A 100 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, IRLL
- RS-varenummer:
- 813-0714
- Producentens varenummer:
- IRLL110TRPBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 50,94
(ekskl. moms)
Kr. 63,68
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 1.350 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 5,094 | Kr. 50,94 |
| 100 - 240 | Kr. 4,593 | Kr. 45,93 |
| 250 - 490 | Kr. 4,338 | Kr. 43,38 |
| 500 - 990 | Kr. 4,069 | Kr. 40,69 |
| 1000 + | Kr. 3,359 | Kr. 33,59 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 813-0714
- Producentens varenummer:
- IRLL110TRPBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | SOT-223 | |
| Serie | IRLL | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 760mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 6.1nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 2.5V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 10 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 3.1W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 6.7mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.8mm | |
| Bredde | 3.7 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype SOT-223 | ||
Serie IRLL | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 760mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6.1nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 2.5V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 10 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 3.1W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 6.7mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.8mm | ||
Bredde 3.7 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MOSFET, 100 V til 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 1.5 A 100 V Forbedring SOT-223, IRLL
- Vishay Type N-Kanal 1.5 A 100 V Forbedring SOT-223, IRFL
- Infineon Type N-Kanal 1.5 A 800 V Forbedring SOT-223, CoolMOS P7
- Vishay Type N-Kanal 2.7 A 60 V Forbedring SOT-223, IRFL
- Vishay Type N-Kanal 960 mA 200 V Forbedring SOT-223, IRFL
- Vishay Type N-Kanal 5.6 A 100 V Forbedring TO-220, IRL
- Vishay Type N-Kanal 17 A 200 V Forbedring TO-263, IRL
- Vishay Type N-Kanal 9 A 200 V Forbedring TO-220, IRL
