Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 960 mA 200 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, IRFL
- RS-varenummer:
- 815-2736
- Producentens varenummer:
- IRFL210TRPBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 58,87
(ekskl. moms)
Kr. 73,59
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 1.690 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 5,887 | Kr. 58,87 |
| 100 - 240 | Kr. 4,712 | Kr. 47,12 |
| 250 - 490 | Kr. 4,129 | Kr. 41,29 |
| 500 - 990 | Kr. 3,822 | Kr. 38,22 |
| 1000 + | Kr. 3,456 | Kr. 34,56 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 815-2736
- Producentens varenummer:
- IRFL210TRPBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 960mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Emballagetype | SOT-223 | |
| Serie | IRFL | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.5Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8.2nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 3.1W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.8mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.7mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 960mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Emballagetype SOT-223 | ||
Serie IRFL | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.5Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8.2nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 3.1W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.8mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.7mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MOSFET, 200 V til 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 960 mA 200 V Forbedring SOT-223, IRFL
- Vishay Type N-Kanal 2.7 A 60 V Forbedring SOT-223, IRFL
- Vishay Type N-Kanal 1.5 A 100 V Forbedring SOT-223, IRFL
- Vishay Type P-Kanal 690 mA 100 V Forbedring SOT-223, IRFL
- Vishay Type P-Kanal 1.8 A 60 V Forbedring SOT-223, IRFL
- onsemi Type N-Kanal 850 mA 200 V Forbedring SOT-223, QFET
- STMicroelectronics Type N-Kanal 1 A 200 V Forbedring SOT-223, STN
- onsemi Type N-Kanal 6.3 A 30 V Forbedring SOT-223
