onsemi Type P-Kanal, MOSFET, 2.6 A 12 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, PowerTrench Nej FDN306P

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 15,80

(ekskl. moms)

Kr. 19,75

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Manglende forsyning
På grund af begrænsninger i forsyningskæden tildeles lageret, efterhånden som produktet bliver tilgængeligt.
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 3,16Kr. 15,80
50 - 145Kr. 3,004Kr. 15,02
150 - 745Kr. 2,524Kr. 12,62
750 - 1495Kr. 2,37Kr. 11,85
1500 +Kr. 2,226Kr. 11,13

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
671-0416
Producentens varenummer:
FDN306P
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kanaltype

Type P

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

2.6A

Drain source spænding maks. Vds

12V

Serie

PowerTrench

Emballagetype

SOT-23

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

40mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

8 V

Effektafsættelse maks. Pd

500mW

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

12nC

Gennemgangsspænding Vf

-1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

2.92mm

Bredde

1.4 mm

Højde

0.94mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

PowerTrench® P-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor


PowerTrench® MOSFET'er er optimerede strømkontakter, der forøger systemets effektivitet og effekttæthed. De kombinerer lille gate-opladning (Qg), lille omvendt genoprettelsesstrøm (Qrr) og blød omvendt genopretnings-husdiode, som bidrager til hurtigt skift af synkron ensretning i AC/DC-strømforsyninger.

De nyeste PowerTrench® MOSFET'er anvender skærmet gate-struktur, der sikrer ladebalance. Ved at udnytte denne avancerede teknologi er FOM (Figure of Merit) for disse enheder betydeligt lavere end i tidligere generationer.

Blød husdiode-ydeevne for PowerTrench® MOSFET'er er i stand til at eliminere dæmperkredsløb eller erstatte en MOSFET med højere nominel spænding.

MOSFET transistorer, PÅ Semi


På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.

På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.

Relaterede links