Fairchild Semiconductor N-Kanal, MOSFET, 4.5 A 100 V, 8 ben, SOIC, UltraFET FDS3692
- RS-varenummer:
- 671-0501
- Producentens varenummer:
- FDS3692
- Brand:
- Fairchild Semiconductor
Ikke tilgængelig
RS lagerfører ikke længere dette produkt
- RS-varenummer:
- 671-0501
- Producentens varenummer:
- FDS3692
- Brand:
- Fairchild Semiconductor
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Fairchild Semiconductor | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 4.5 A | |
| Drain source spænding maks. | 100 V | |
| Kapslingstype | SOIC | |
| Serie | UltraFET | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. | 60 mΩ | |
| Kanalform | Enhancement | |
| Mindste tærskelspænding for port | 2V | |
| Effektafsættelse maks. | 2500 mW | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Gate source spænding maks. | -20 V, +20 V | |
| Bredde | 4mm | |
| Driftstemperatur maks. | +150 °C | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Transistormateriale | Si | |
| Længde | 5mm | |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 11 nC ved 10 V | |
| Højde | 1.5mm | |
| Driftstemperatur min. | -55 °C | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Fairchild Semiconductor | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. 4.5 A | ||
Drain source spænding maks. 100 V | ||
Kapslingstype SOIC | ||
Serie UltraFET | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. 60 mΩ | ||
Kanalform Enhancement | ||
Mindste tærskelspænding for port 2V | ||
Effektafsættelse maks. 2500 mW | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Gate source spænding maks. -20 V, +20 V | ||
Bredde 4mm | ||
Driftstemperatur maks. +150 °C | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Transistormateriale Si | ||
Længde 5mm | ||
Gate-ladning ved Vgs typisk 11 nC ved 10 V | ||
Højde 1.5mm | ||
Driftstemperatur min. -55 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
UltraFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor
UItraFET® Trench MOSFET kombinerer egenskaber, der muliggør benchmark effektivt i strømkonverteringsprogrammer. Enheden kan modstå høj energi i avalanche-tilstand, og dioden fremviser meget lav omvendt genopretningstid og oplagret spænding. Optimeret til effektivitet ved høje frekvenser, laveste RDS(on), lav ESR og lav total og Miller gate-opladning.
Anvendelse i højfrekvente DC til DC konvertere, switching-regulatorer, motorstyringer, lavspændings bus-kontakter og strømstyring.
Anvendelse i højfrekvente DC til DC konvertere, switching-regulatorer, motorstyringer, lavspændings bus-kontakter og strømstyring.
MOSFET transistorer, PÅ Semi
På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.
På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.
På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.
Relaterede links
- Fairchild Semiconductor N-Kanal 56 A 100 V TO-247, UltraFET HUF75639G3
- Fairchild Semiconductor MOSFET
- Fairchild Semiconductor N-Kanal 14 A 100 V TO-220AB IRF530A
- Fairchild Semiconductor N-Kanal 10 3 ben, DPAK FCD380N60E
- Fairchild Semiconductor N-Kanal 7 3 ben QFET FQD10N20CTM
- Fairchild Semiconductor N-Kanal 52 A 200 V TO-220AB, UniFET FDP52N20
- Fairchild Semiconductor N-Kanal 8 A 1000 V TO-247, QFET FQH8N100C
- Fairchild Semiconductor N-Kanal 17 A 60 V TO-220AB, PowerTrench FDP038AN06A0
