onsemi 2 Type P-Kanal Isoleret, MOSFET, 6.9 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench Nej FDS4935BZ

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 50,86

(ekskl. moms)

Kr. 63,575

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 14.935 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 20Kr. 10,172Kr. 50,86
25 - 95Kr. 7,076Kr. 35,38
100 - 245Kr. 4,668Kr. 23,34
250 - 495Kr. 4,248Kr. 21,24
500 +Kr. 3,89Kr. 19,45

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
671-0536
Producentens varenummer:
FDS4935BZ
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kanaltype

Type P

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

6.9A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

SOIC

Serie

PowerTrench

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

22mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

-0.8V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

29nC

Effektafsættelse maks. Pd

1.6W

Portkildespænding maks.

25 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Transistorkonfiguration

Isoleret

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

5mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

4 mm

Højde

1.5mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

PowerTrench® Dual P-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor


PowerTrench® MOSFET'er er optimerede strømkontakter, der forøger systemets effektivitet og effekttæthed. De kombinerer lille gate-opladning (Qg), lille omvendt genoprettelsesstrøm (Qrr) og blød omvendt genopretnings-husdiode, som bidrager til hurtigt skift af synkron ensretning i AC/DC-strømforsyninger.

De nyeste PowerTrench® MOSFET'er anvender skærmet gate-struktur, der sikrer ladebalance. Ved at udnytte denne avancerede teknologi er FOM (Figure of Merit) for disse enheder betydeligt lavere end i den tidligere generation.

Blød husdiode-ydeevne for PowerTrench® MOSFET'er er i stand til at eliminere dæmperkredsløb eller erstatte en MOSFET med højere nominel spænding.

MOSFET transistorer, PÅ Semi


På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.

På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.

Relaterede links