STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, STripFET II AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 687-5093
- Producentens varenummer:
- STB100NF04T4
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 40,51
(ekskl. moms)
Kr. 50,64
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 4 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 1.612 enhed(er) afsendes fra 15. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 20,255 | Kr. 40,51 |
| 20 - 98 | Kr. 19,585 | Kr. 39,17 |
| 100 - 198 | Kr. 18,98 | Kr. 37,96 |
| 200 + | Kr. 16,445 | Kr. 32,89 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 687-5093
- Producentens varenummer:
- STB100NF04T4
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 120A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | STripFET II | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 110nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 300W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 9.35mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.4mm | |
| Højde | 4.6mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 120A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie STripFET II | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 110nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 300W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 9.35mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.4mm | ||
Højde 4.6mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
N-kanal STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ mosfet'er med et bredt område for gennemslagsspænding med ekstremt lav gate-opladning og lav aktiv modstand .
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 120 A 40 V Forbedring TO-263, STripFET II AEC-Q101
- STMicroelectronics N-Kanal 120 A 100 V Forbedring TO-263, STripFET II
- STMicroelectronics N-Kanal 60 A 60 V Forbedring TO-263, STripFET II AEC-Q101
- STMicroelectronics N-Kanal 50 A 60 V Forbedring TO-263, STripFET II
- STMicroelectronics N-Kanal 35 A 100 V Forbedring TO-263, STripFET II
- STMicroelectronics N-Kanal 80 A 100 V Forbedring TO-263, STripFET II
- STMicroelectronics N-Kanal 75 A 75 V Forbedring TO-263, STripFET II
- STMicroelectronics N-Kanal 55 A 60 V Forbedring TO-263, STripFET II