STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 60 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, STripFET II AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 165-6855
- Producentens varenummer:
- STB60NF06LT4
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1000 enheder, på en rulle med 1000)*
Kr. 7.887,00
(ekskl. moms)
Kr. 9.859,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 29. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | Kr. 7,887 | Kr. 7.887,00 |
| 2000 - 4000 | Kr. 7,79 | Kr. 7.790,00 |
| 5000 + | Kr. 7,695 | Kr. 7.695,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 165-6855
- Producentens varenummer:
- STB60NF06LT4
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 60A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | STripFET II | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 14mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 35nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 110W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Portkildespænding maks. | -15V, +15V | |
| Min. driftstemperatur | -65°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10.4mm | |
| Højde | 4.6mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 9.35mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 60A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie STripFET II | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 14mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 35nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 110W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Portkildespænding maks. -15V, +15V | ||
Min. driftstemperatur -65°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10.4mm | ||
Højde 4.6mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 9.35mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ mosfet'er med et bredt område for gennemslagsspænding med ekstremt lav gate-opladning og lav aktiv modstand .
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 60 A 60 V Forbedring TO-263, STripFET II AEC-Q101
- STMicroelectronics N-Kanal 50 A 60 V Forbedring TO-263, STripFET II
- STMicroelectronics N-Kanal 55 A 60 V Forbedring TO-263, STripFET II
- STMicroelectronics N-Kanal 120 A 40 V Forbedring TO-263, STripFET II AEC-Q101
- STMicroelectronics N-Kanal 120 A 100 V Forbedring TO-263, STripFET II
- STMicroelectronics N-Kanal 35 A 100 V Forbedring TO-263, STripFET II
- STMicroelectronics N-Kanal 80 A 100 V Forbedring TO-263, STripFET II
- STMicroelectronics N-Kanal 75 A 75 V Forbedring TO-263, STripFET II