STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 60 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, STripFET II AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 795-6944
- Producentens varenummer:
- STB60NF06LT4
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 86,17
(ekskl. moms)
Kr. 107,71
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 28. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 17,234 | Kr. 86,17 |
| 25 - 45 | Kr. 16,352 | Kr. 81,76 |
| 50 - 120 | Kr. 14,72 | Kr. 73,60 |
| 125 - 245 | Kr. 13,224 | Kr. 66,12 |
| 250 + | Kr. 12,596 | Kr. 62,98 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 795-6944
- Producentens varenummer:
- STB60NF06LT4
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 60A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | STripFET II | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 14mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -65°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 110W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 35nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10.4mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 4.6mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 60A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie STripFET II | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 14mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -65°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 110W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 35nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10.4mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 4.6mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
N-kanal STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ mosfet'er med et bredt område for gennemslagsspænding med ekstremt lav gate-opladning og lav aktiv modstand .
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 60 A 60 V Forbedring TO-263, STripFET II AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 50 A 60 V Forbedring TO-263, STripFET II
- STMicroelectronics Type N-Kanal 55 A 60 V Forbedring TO-263, STripFET II
- STMicroelectronics Type N-Kanal 120 A 40 V Forbedring TO-263, STripFET II AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 80 A 100 V Forbedring TO-263, STripFET II
- STMicroelectronics Type N-Kanal 75 A 75 V Forbedring TO-263, STripFET II
- STMicroelectronics Type N-Kanal 35 A 100 V Forbedring TO-263, STripFET II
- STMicroelectronics Type N-Kanal 120 A 100 V Forbedring TO-263, STripFET II