STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 50 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, STripFET II
- RS-varenummer:
- 687-5197
- Producentens varenummer:
- STB55NF06T4
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (5 enheder, i en pakke med 5)*
Kr. 77,19
(ekskl. moms)
Kr. 96,49
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 5 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 1.965 enhed(er) afsendes fra 15. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 15,438 | Kr. 77,19 |
| 50 - 245 | Kr. 9,062 | Kr. 45,31 |
| 250 - 495 | Kr. 6,392 | Kr. 31,96 |
| 500 + | Kr. 4,986 | Kr. 24,93 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 687-5197
- Producentens varenummer:
- STB55NF06T4
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 50A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | STripFET II | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 18mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 110W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 44.5nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 9.35mm | |
| Højde | 4.6mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.4mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 50A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie STripFET II | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 18mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 110W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 44.5nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 9.35mm | ||
Højde 4.6mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.4mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ mosfet'er med et bredt område for gennemslagsspænding med ekstremt lav gate-opladning og lav aktiv modstand .
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 50 A 60 V Forbedring TO-263, STripFET II
- STMicroelectronics N-Kanal 55 A 60 V Forbedring TO-263, STripFET II
- STMicroelectronics N-Kanal 60 A 60 V Forbedring TO-263, STripFET II AEC-Q101
- STMicroelectronics N-Kanal 120 A 100 V Forbedring TO-263, STripFET II
- STMicroelectronics N-Kanal 35 A 100 V Forbedring TO-263, STripFET II
- STMicroelectronics N-Kanal 80 A 100 V Forbedring TO-263, STripFET II
- STMicroelectronics N-Kanal 75 A 75 V Forbedring TO-263, STripFET II
- STMicroelectronics N-Kanal 80 A 55 V Forbedring TO-263, STripFET II