Infineon N-Kanal, MOSFET, 59 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- RS-varenummer:
- 688-6850
- Producentens varenummer:
- IRF3710ZPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 38,60
(ekskl. moms)
Kr. 48,24
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 40 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 836 enhed(er) afsendes fra 17. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 19,30 | Kr. 38,60 |
| 20 - 48 | Kr. 17,465 | Kr. 34,93 |
| 50 - 98 | Kr. 16,42 | Kr. 32,84 |
| 100 - 198 | Kr. 15,295 | Kr. 30,59 |
| 200 + | Kr. 14,10 | Kr. 28,20 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 688-6850
- Producentens varenummer:
- IRF3710ZPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 59A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 18mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 160W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 82nC | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.54mm | |
| Bredde | 4.69mm | |
| Højde | 8.77mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 59A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 18mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 160W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 82nC | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.54mm | ||
Bredde 4.69mm | ||
Højde 8.77mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Motorstyring og AC-DC synkron ensretter MOSFET, Infineon
Motorstyring MOSFET
Infineon tilbyder et omfattende udvalg af robuste N-kanal og P-kanal MOSFET enheder til motorstyring.
Synkron ensretter MOSFET
Et udvalg af synkron ensretter MOSFET-enheder til AC-DC strømforsyninger understøtter kundens behov for højere effekttæthed, mindre størrelse, større bærbarhed og mere fleksible systemer.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 59 A 100 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 59 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon N-Kanal 76 A 200 V Forbedring HEXFET
- Infineon N-Kanal 95 A 60 V Forbedring HEXFET
- Infineon N-Kanal 46 A 250 V Forbedring HEXFET
- Infineon N-Kanal 35 A 150 V Forbedring HEXFET
- Infineon N-Kanal 120 A 40 V Forbedring HEXFET
- Infineon N-Kanal 169 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET