Infineon N-Kanal, MOSFET, 18 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- RS-varenummer:
- 688-6939
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-43-452
- Producentens varenummer:
- IRFB4020PBF
- Brand:
- Infineon
Få rabat ved storkøb
Tilføj 50 flere for at gemme 9%
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 86,09
(ekskl. moms)
Kr. 107,61
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 55 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 395 enhed(er) afsendes fra 18. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* | Besparelse |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 17,218 | Kr. 86,09 | - |
| 50 - 120 | Kr. 15,498 | Kr. 77,49 | 9% |
| 125 - 245 | Kr. 14,452 | Kr. 72,26 | 16% |
| 250 - 495 | Kr. 13,45 | Kr. 67,25 | 21% |
| 500 + | Kr. 12,566 | Kr. 62,83 | 27% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 688-6939
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-43-452
- Producentens varenummer:
- IRFB4020PBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 18A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 100mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 18nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 100W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10.66mm | |
| Bredde | 4.82mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 9.02mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 18A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 100mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 18nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 100W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10.66mm | ||
Bredde 4.82mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 9.02mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon HEXFET seriens MOSFET, 200 V maksimal drain source-spænding, 18 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IRFB4020PBF
Denne MOSFET er en effekt-switching-transistor, der er designet til højspændings-, højstrømsanvendelser, hvor der kræves robust termisk modstandsdygtighed. Den fungerer som en N-kanal-forbedringsenhed i et TO-220-hus med gennemgående hul, hvilket giver en praktisk løsning til diskrete effekttrin og printmonterede koblingskredsløb over et bredt temperaturområde.
Egenskaber og fordele:
• 200 V drain-klassificering muliggør højspændingskoblingsanvendelser
• 18 A kontinuerlig drænstrøm understøtter betydelige belastningsstrømme
• 100 W effekttab muliggør forhøjet effekthåndtering
• 100 mΩ Rds(on) minimerer ledningstab under belastning
• 18 nC typisk gate-ladning giver hurtigere skifteovergange
• 1,3 V fremadgående spænding sænker diodeledningsfaldet under gendannelse
• 18 A kontinuerlig drænstrøm understøtter betydelige belastningsstrømme
• 100 W effekttab muliggør forhøjet effekthåndtering
• 100 mΩ Rds(on) minimerer ledningstab under belastning
• 18 nC typisk gate-ladning giver hurtigere skifteovergange
• 1,3 V fremadgående spænding sænker diodeledningsfaldet under gendannelse
Anvendelser
• Velegnet til halvbro-trin med motordrev
• Ideel til offline switch-mode strømforsyninger
• Anvendes sammen med strømomformere, der kræver montering gennem hul
• Kan bruges til højspændingsrelæ- og magnetdriver
• Velegnet til laboratorieprototyper og laboratorieeksperimenter
• Ideel til offline switch-mode strømforsyninger
• Anvendes sammen med strømomformere, der kræver montering gennem hul
• Kan bruges til højspændingsrelæ- og magnetdriver
• Velegnet til laboratorieprototyper og laboratorieeksperimenter
Hvilke gate-spændingsgrænser skal designere overholde for sikker drift?
Gate-source-spændingen må ikke overstige ±20 V for at undgå at beskadige gate-oxidet og for at opretholde pålidelig skifteadfærd.
Hvordan fungerer enheden over ekstreme temperaturer?
Den er normeret til drift fra -55 °C op til 175 °C, hvilket giver mulighed for brug i miljøer med bred termisk variation og samtidig opretholder specificerede elektriske egenskaber.
Hvilke pakkeovervejelser påvirker printkortlayout og køling?
TO-220-formfaktoren med gennemgående hul giver en enkelt isoleret monteringsflig og muliggør direkte fastgørelse til et kølelegeme eller chassis for forbedret termisk styring.
Hvordan påvirker husdioden valg af koblingstopologi?
Den egensidige diode med et fremadgående fald på 1,3 V bør tages i betragtning i konstruktioner med omvendte gendannelseshændelser for at styre tab og bestemme snubberkrav.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 18 A 200 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 76 A 200 V Forbedring HEXFET
- Infineon N-Kanal 95 A 60 V Forbedring HEXFET
- Infineon N-Kanal 46 A 250 V Forbedring HEXFET
- Infineon N-Kanal 35 A 150 V Forbedring HEXFET
- Infineon N-Kanal 120 A 40 V Forbedring HEXFET
- Infineon N-Kanal 169 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 49 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET