Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 18 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET Nej IRFB4020PBF
- RS-varenummer:
- 688-6939
- Producentens varenummer:
- IRFB4020PBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 66,10
(ekskl. moms)
Kr. 82,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 80 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 790 enhed(er) afsendes fra 14. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 13,22 | Kr. 66,10 |
| 50 - 120 | Kr. 11,908 | Kr. 59,54 |
| 125 - 245 | Kr. 11,10 | Kr. 55,50 |
| 250 - 495 | Kr. 10,308 | Kr. 51,54 |
| 500 + | Kr. 9,65 | Kr. 48,25 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 688-6939
- Producentens varenummer:
- IRFB4020PBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 18A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 100mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 18nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 100W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10.66mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 9.02mm | |
| Bredde | 4.82 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Distrelec Product Id | 304-43-452 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 18A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 100mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 18nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 100W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10.66mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 9.02mm | ||
Bredde 4.82 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Distrelec Product Id 304-43-452 | ||
Digital audio MOSFET, Infineon
Class D forstærkere er hurtigt ved at blive den foretrukne løsning til professionelle og lyd- og videosystemer i hjemmet. Infineon tilbyder et omfattende sortiment, der forenkler højeffektivt Class D forstærkerdesign.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 18 A 200 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 18 A 200 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej IRF640NPBF
- Infineon Type N-Kanal 26 A 200 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 65 A 200 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 9.3 A 200 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 25 A 200 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 200 A 40 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 56 A 200 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej