Seneste søgninger

    Infineon N-Kanal, MOSFET, 343 A 40 V, 3 ben, TO-220AB, HEXFET IRLB3034PBF

    RS-varenummer:
    688-7204
    Producentens varenummer:
    IRLB3034PBF
    Brand:
    Infineon
    Infineon
    Se alle MOSFET
    22 lager for afsendelse samme dag
    404 enheder til afsendelse inden for 1 arbejdsdag(e) (UK lager)
    Add to Basket
    Enheder

    Tilføjet

    Pris (Leveres i pakke af 2)

    kr 34,325

    (ekskl. moms)

    kr 42,906

    (inkl. moms)

    EnhederPr stk.Pr pakke*
    2 - 24kr 34,325kr 68,65
    26 +kr 30,115kr 60,23
    RS-varenummer:
    688-7204
    Producentens varenummer:
    IRLB3034PBF
    Brand:
    Infineon

    Lovgivning og oprindelsesland


    Generel produktinformation

    Motorstyring og AC-DC synkron ensretter MOSFET, Infineon


    Motorstyring MOSFET


    Infineon tilbyder et omfattende udvalg af robuste N-kanal og P-kanal MOSFET enheder til motorstyring.

    Synkron ensretter MOSFET


    Et udvalg af synkron ensretter MOSFET-enheder til AC-DC strømforsyninger understøtter kundens behov for højere effekttæthed, mindre størrelse, større bærbarhed og mere fleksible systemer.


    MOSFET-transistorer, Infineon


    Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

    Egenskaber

    AttributeValue
    KanaltypeN
    Drain-strøm kontinuerlig maks.343 A
    Drain source spænding maks.40 V
    KapslingstypeTO-220AB
    MonteringstypeHulmontering
    Benantal3
    Drain source modstand maks.2 mΩ
    KanalformEnhancement
    Maks. tærskelspænding for port2.5V
    Mindste tærskelspænding for port1V
    Effektafsættelse maks.375 W
    TransistorkonfigurationEnkelt
    Gate source spænding maks.-20 V, +20 V
    TransistormaterialeSi
    Bredde4.83mm
    Længde10.67mm
    Driftstemperatur maks.+175 °C
    Gate-ladning ved Vgs typisk108 nC ved 4,5 V
    Antal elementer per chip1
    Driftstemperatur min.-55 °C
    SerieHEXFET
    Højde9.02mm
    22 lager for afsendelse samme dag
    404 enheder til afsendelse inden for 1 arbejdsdag(e) (UK lager)
    Add to Basket
    Enheder

    Tilføjet

    Pris (Leveres i pakke af 2)

    kr 34,325

    (ekskl. moms)

    kr 42,906

    (inkl. moms)

    EnhederPr stk.Pr pakke*
    2 - 24kr 34,325kr 68,65
    26 +kr 30,115kr 60,23