Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 28 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, IRF540S
- RS-varenummer:
- 708-4737
- Producentens varenummer:
- IRF540SPBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 61,04
(ekskl. moms)
Kr. 76,30
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 10 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 12,208 | Kr. 61,04 |
| 50 - 120 | Kr. 10,382 | Kr. 51,91 |
| 125 - 245 | Kr. 9,768 | Kr. 48,84 |
| 250 - 495 | Kr. 9,156 | Kr. 45,78 |
| 500 + | Kr. 7,33 | Kr. 36,65 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 708-4737
- Producentens varenummer:
- IRF540SPBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 28A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | IRF540S | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 77mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 72nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 3.7W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 2.5V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 4.83mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 9.65 mm | |
| Længde | 10.67mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 28A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie IRF540S | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 77mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 72nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 3.7W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 2.5V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 4.83mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 9.65 mm | ||
Længde 10.67mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal MOSFET, 100 V til 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 28 A 100 V Forbedring TO-263, IRF540S Nej
- Vishay Type N-Kanal 28 A 600 V Forbedring TO-263, EF Nej
- Vishay Type N-Kanal 28 A 600 V Forbedring TO-263, EF Nej SiHB28N60EF-GE3
- onsemi Type N-Kanal 28 A 300 V Forbedring TO-263, UniFET Nej
- onsemi Type N-Kanal 28 A 300 V Forbedring TO-263, UniFET Nej FDB28N30TM
- STMicroelectronics Type N-Kanal 28 A 600 V Forbedring TO-263, STB37N60 AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 28 A 600 V Forbedring TO-263, STB37N60 AEC-Q101 STB37N60DM2AG
- Vishay N-Kanal 28 A 100 V D2PAK (TO-263) SIHL540STRL-GE3
