Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 28 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, EF Nej SiHB28N60EF-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 92,15

(ekskl. moms)

Kr. 115,188

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 642 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 46,075Kr. 92,15
20 - 48Kr. 43,31Kr. 86,62
50 - 98Kr. 41,475Kr. 82,95
100 - 198Kr. 36,875Kr. 73,75
200 +Kr. 34,52Kr. 69,04

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
903-4504
Producentens varenummer:
SiHB28N60EF-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

28A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Serie

EF

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

123mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

250W

Portkildespænding maks.

30 V

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

10.67mm

Højde

4.83mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

9.65 mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

N-kanal MOSFET med hurtig diode, EF-serien, Vishay Semiconductor


Reduceret omvendt genopretningstid, omvendt genoprettelsesstrøm og omvendt returstrøm

Lavt figure-of-merit (FOM)

Lav indgangskapacitet (Ciss)

Øget robusthed på grund af lav omvendt genoprettelsesstrøm

Meget lav portopladning (Qg)

MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links