Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 9.9 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, IRLI
- RS-varenummer:
- 708-4872
- Producentens varenummer:
- IRLI640GPBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 124,77
(ekskl. moms)
Kr. 155,96
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 365 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 24,954 | Kr. 124,77 |
| 25 - 45 | Kr. 21,214 | Kr. 106,07 |
| 50 - 120 | Kr. 19,956 | Kr. 99,78 |
| 125 - 245 | Kr. 18,73 | Kr. 93,65 |
| 250 + | Kr. 17,474 | Kr. 87,37 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 708-4872
- Producentens varenummer:
- IRLI640GPBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 9.9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Serie | IRLI | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 180mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 40W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 66nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 9.8mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 4.8mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 9.9A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Serie IRLI | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 180mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 40W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 66nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 9.8mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 4.8mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal MOSFET, 200 V til 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 9.9 A 200 V Forbedring TO-220, IRLI
- Vishay Type N-Kanal 30 A 60 V Forbedring TO-220, IRLI
- Infineon Type N-Kanal 9.9 A N IPA
- Infineon Type N-Kanal 9.9 A 500 V IPP
- Infineon Type N-Kanal 9.9 A 600 V P TO-220, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 9.9 A N IPD
- Infineon Type N-Kanal 26 A 200 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 56 A 200 V Forbedring TO-220, HEXFET