Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 9.9 A 600 V P, 3 Ben, TO-220, CoolMOS

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 125,26

(ekskl. moms)

Kr. 156,58

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 960 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 +Kr. 6,263Kr. 125,26

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
217-2497
Producentens varenummer:
IPAN60R650CEXKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

9.9A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Serie

CoolMOS

Emballagetype

TO-220

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

650mΩ

Kanalform

P

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

20.5nC

Min. driftstemperatur

-40°C

Effektafsættelse maks. Pd

82W

Gennemgangsspænding Vf

0.9V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

29.87mm

Bredde

4.8 mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

16.1mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon CoolMOS™ CE er velegnet til hårde og bløde switching-anvendelser, og som moderne superjunction leverer den lav overledning og skiftetab, hvilket forbedrer effektiviteten og reducerer strømforbruget i sidste ende. 600 V, 650 V og 700 V CoolMOS™ CE kombinerer optimal R DS (ON) og pakken, der tilbyder velegnede til ladere med lavt strømforbrug til mobiltelefoner og tablets.

Smalle margener mellem typisk og maks. R DS(til) reduceret energi lagret i. Udgangskapacitet (E oss)

God robusthed i husdioden og reduceret returladning (Q rr)

Optimeret integreret R g

Relaterede links