Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 9.9 A 600 V P, 3 Ben, TO-220, CoolMOS

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 125,26

(ekskl. moms)

Kr. 156,58

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 960 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 +Kr. 6,263Kr. 125,26

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
217-2497
Producentens varenummer:
IPAN60R650CEXKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

9.9A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

TO-220

Serie

CoolMOS

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

650mΩ

Kanalform

P

Effektafsættelse maks. Pd

82W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

20.5nC

Min. driftstemperatur

-40°C

Gennemgangsspænding Vf

0.9V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

29.87mm

Længde

16.1mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon CoolMOS™ CE er velegnet til hårde og bløde switching-anvendelser, og som moderne superjunction leverer den lav overledning og skiftetab, hvilket forbedrer effektiviteten og reducerer strømforbruget i sidste ende. 600 V, 650 V og 700 V CoolMOS™ CE kombinerer optimal R DS (ON) og pakken, der tilbyder velegnede til ladere med lavt strømforbrug til mobiltelefoner og tablets.

Smalle margener mellem typisk og maks. R DS(til) reduceret energi lagret i. Udgangskapacitet (E oss)

God robusthed i husdioden og reduceret returladning (Q rr)

Optimeret integreret R g

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.