Infineon N-Kanal, MOSFET, 6.8 A 600 V N, 3 Ben, TO-220, 600V CoolMOS CE
- RS-varenummer:
- 218-3001
- Producentens varenummer:
- IPA60R1K0CEXKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (20 enheder, i en pakke med 20)*
Kr. 72,94
(ekskl. moms)
Kr. 91,18
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 160 enhed(er) afsendes fra 08. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | Kr. 3,647 | Kr. 72,94 |
| 100 - 180 | Kr. 3,465 | Kr. 69,30 |
| 200 - 480 | Kr. 3,323 | Kr. 66,46 |
| 500 - 980 | Kr. 3,177 | Kr. 63,54 |
| 1000 + | Kr. 2,954 | Kr. 59,08 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 218-3001
- Producentens varenummer:
- IPA60R1K0CEXKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6.8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | 600V CoolMOS CE | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1Ω | |
| Kanalform | N | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 13nC | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 61W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 900mV | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 16.15mm | |
| Længde | 29.75mm | |
| Bredde | 4.9mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6.8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie 600V CoolMOS CE | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1Ω | ||
Kanalform N | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 13nC | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 61W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 900mV | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 16.15mm | ||
Længde 29.75mm | ||
Bredde 4.9mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 600 V CoolMOS™ CE-serien N-kanal effekt MOSFET. CoolMOS™ er en revolutionerende teknologi til højspændings power MOSFET'er, der er designet i henhold til superjunction-princippet (SJ) og udviklet af Infineon Technologies. Den bruges i PFC-trin, hårdt skiftende PWM-trin og resonante omkoblingstrin, f.eks. PC Silverbox, adapter, LCD- og PDP TV og indendørs belysning.
Meget stor kommutationsrobusthed
Nem at bruge/køre
Blyfri belægning, halogenfri støbemasse
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 6.8 A 600 V N TO-220, 600V CoolMOS CE
- Infineon N-Kanal 6.8 A 650 V Forbedring TO-252, CoolMOS CE
- Infineon N-Kanal 3.7 A 600 V IPAK, 600V CoolMOS CE
- Infineon N-Kanal 7.6 A 550 V N TO-220, 500V CoolMOS CE
- Infineon N-Kanal 6.6 A 500 V N TO-220, 500V CoolMOS CE
- Infineon N-Kanal 15.1 A 650 V N TO-220, 650V CoolMOS CE
- Infineon N-Kanal 23.8 A 600 V N TO-220, 600V CoolMOS P6
- Infineon N-Kanal 9 A 650 V N TO-220, 600V CoolMOS P7