Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 8.4 A 600 V N, 3 Ben, TO-220, CoolMOS Nej IPAN60R800CEXKSA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 94,54

(ekskl. moms)

Kr. 118,18

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 08. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 - 80Kr. 4,727Kr. 94,54
100 - 180Kr. 3,64Kr. 72,80
200 - 480Kr. 3,404Kr. 68,08
500 - 980Kr. 3,167Kr. 63,34
1000 +Kr. 2,931Kr. 58,62

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
217-2499
Producentens varenummer:
IPAN60R800CEXKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

8.4A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

TO-220

Serie

CoolMOS

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

800mΩ

Kanalform

N

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

20.5nC

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

82W

Gennemgangsspænding Vf

0.9V

Min. driftstemperatur

-40°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

16.1mm

Højde

29.87mm

Bredde

4.8 mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon CoolMOS™ CE er velegnet til hårde og bløde switching-anvendelser, og som moderne superjunction leverer den lav overledning og skiftetab, hvilket forbedrer effektiviteten og reducerer strømforbruget i sidste ende. 600 V, 650 V og 700 V CoolMOS™ CE kombinerer optimal R DS (ON) og pakken, der tilbyder velegnede til ladere med lavt strømforbrug til mobiltelefoner og tablets.

Smalle margener mellem typisk og maks. R DS (til)

Reduceret energi lagret i udgangskapacitet (E oss)

God robusthed i husdioden og reduceret returladning (Q rr)

Optimeret integreret R g

Relaterede links