Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 6.8 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, IRF
- RS-varenummer:
- 708-5140
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-36-068
- Producentens varenummer:
- IRF9520PBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 60,59
(ekskl. moms)
Kr. 75,74
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 14. december 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 6,059 | Kr. 60,59 |
| 50 - 90 | Kr. 5,932 | Kr. 59,32 |
| 100 - 240 | Kr. 5,146 | Kr. 51,46 |
| 250 - 490 | Kr. 4,907 | Kr. 49,07 |
| 500 + | Kr. 3,994 | Kr. 39,94 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 708-5140
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-36-068
- Producentens varenummer:
- IRF9520PBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6.8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | IRF | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 600mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | -6.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 18nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 60W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 9.01mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.41mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6.8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie IRF | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 600mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf -6.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 18nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 60W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 9.01mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.41mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
RoHS Status: Undtaget
- COO (Country of Origin):
- CN
P-kanal MOSFET, 100 V til 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 6.8 A 100 V Forbedring TO-220, IRF
- Vishay Type P-Kanal 3.5 A 200 V Forbedring TO-220, IRF
- Vishay Type P-Kanal 4 A 100 V Forbedring TO-220, IRF
- Vishay Type P-Kanal 1.8 A 200 V Forbedring TO-220, IRF
- Vishay Type N-Kanal 2.5 A 500 V Forbedring TO-220, IRF
- Vishay Type N-Kanal 3.3 A 200 V Forbedring TO-220, IRF
- Vishay Type N-Kanal 2 A 400 V Forbedring TO-220, IRF
- Vishay Type N-Kanal 10 A 400 V Forbedring TO-220, IRF
