STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 45 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, MDmesh
- RS-varenummer:
- 714-6800
- Producentens varenummer:
- STW45NM60
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 92,98
(ekskl. moms)
Kr. 116,22
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 17 enhed(er) klar til afsendelse
- Plus 38 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 29 enhed(er) afsendes fra 12. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 92,98 |
| 10 - 24 | Kr. 85,57 |
| 25 - 99 | Kr. 82,06 |
| 100 - 249 | Kr. 70,76 |
| 250 + | Kr. 68,97 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 714-6800
- Producentens varenummer:
- STW45NM60
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 45A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | MDmesh | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 110mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 417W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 96nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Min. driftstemperatur | -65°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 20.15mm | |
| Længde | 15.75mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 45A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie MDmesh | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 110mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 417W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 96nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Min. driftstemperatur -65°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 20.15mm | ||
Længde 15.75mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 45 A 600 V Forbedring TO-247, MDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 45 A 500 V Forbedring TO-247, MDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 29 A 600 V Forbedring TO-247, MDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 39 A 600 V Forbedring TO-247, MDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 20 A 600 V Forbedring TO-247, MDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 10 A 600 V Forbedring TO-247 SuperMESH
- STMicroelectronics Type N-Kanal 50 A 600 V Forbedring TO-247, MDmesh DM2
- STMicroelectronics Type N-Kanal 40 A 600 V Forbedring TO-247, MDmesh DM2