Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 34 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C3 Nej SPW35N60C3FKSA1
- RS-varenummer:
- 752-8502
- Producentens varenummer:
- SPW35N60C3FKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 79,20
(ekskl. moms)
Kr. 99,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 8 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 59 enhed(er) afsendes fra 07. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 4 | Kr. 79,20 |
| 5 - 9 | Kr. 75,25 |
| 10 - 24 | Kr. 72,03 |
| 25 - 49 | Kr. 68,89 |
| 50 + | Kr. 64,18 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 752-8502
- Producentens varenummer:
- SPW35N60C3FKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 34A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS C3 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 100mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 313W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 150nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 5.21 mm | |
| Længde | 16.13mm | |
| Højde | 21.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 34A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie CoolMOS C3 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 100mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 313W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 150nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 5.21 mm | ||
Længde 16.13mm | ||
Højde 21.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFETer industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 34 3 ben CoolMOS™ C3 SPW35N60C3FKSA1
- Infineon N-Kanal 20 3 ben CoolMOS™ C3 SPW20N60C3FKSA1
- Infineon N-Kanal 21 A 650 V TO-247, CoolMOS™ C3 SPW20N60C3FKSA1
- Infineon N-Kanal 47 A 650 V TO-247, CoolMOS™ C3 SPW47N60C3FKSA1
- Infineon N-Kanal 14 A 650 V TO-247, CoolMOS™ IPW60R170CFD7XKSA1
- Infineon N-Kanal 111 A 650 V TO-247, CoolMOS™ IPW60R018CFD7XKSA1
- Infineon N-Kanal 106 A 650 V TO-247, CoolMOS™ IPW65R018CFD7XKSA1
- Infineon N-Kanal 77 3 ben CoolMOS™ IPW60R041P6FKSA1
