Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 34 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C3
- RS-varenummer:
- 911-4931
- Producentens varenummer:
- SPW35N60C3FKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 30 enheder)*
Kr. 1.007,55
(ekskl. moms)
Kr. 1.259,43
(inkl. moms)
Tilføj 30 enheder for at opnå gratis levering
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 25. februar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | Kr. 33,585 | Kr. 1.007,55 |
| 60 - 120 | Kr. 32,723 | Kr. 981,69 |
| 150 + | Kr. 31,907 | Kr. 957,21 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 911-4931
- Producentens varenummer:
- SPW35N60C3FKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 34A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS C3 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 100mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 313W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 150nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 21.1mm | |
| Bredde | 5.21 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 16.13mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 34A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie CoolMOS C3 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 100mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 313W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 150nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 21.1mm | ||
Bredde 5.21 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 16.13mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFETer industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 34 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS C3
- Infineon Type N-Kanal 47 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS C3
- Infineon Type N-Kanal 20.7 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS C3 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 77.5 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 111 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 14 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 32 A 560 V Forbedring TO-247, CoolMOS C3
- Infineon Type N-Kanal 16 A 560 V Forbedring TO-247, CoolMOS C3
