Infineon N-Kanal, MOSFET, 64 A 250 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- RS-varenummer:
- 754-5500
- Producentens varenummer:
- IPP200N25N3GXKSA1
- Brand:
- Infineon
Få rabat ved storkøb
Tilføj 5 flere for at gemme 4%
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 47,05
(ekskl. moms)
Kr. 58,81
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 83 enhed(er) afsendes fra 09. november 2026
- Plus 56 enhed(er) afsendes fra 13. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 1 - 4 | Kr. 47,05 | - |
| 5 - 9 | Kr. 44,73 | 4% |
| 10 - 24 | Kr. 40,32 | 14% |
| 25 - 49 | Kr. 36,28 | 22% |
| 50 + | Kr. 34,26 | 27% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 754-5500
- Producentens varenummer:
- IPP200N25N3GXKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 64A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 250V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 20mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 64nC | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 300W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10.36mm | |
| Bredde | 15.95mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 4.57mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 64A | ||
Drain source spænding maks. Vds 250V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 20mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 64nC | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 300W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10.36mm | ||
Bredde 15.95mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 4.57mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFET'er, 100 V og derover
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 64 A 250 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 64 A 250 V Forbedring TO-263, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 70 A 40 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 88 A 200 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 83 A 150 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 70 A 30 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 45 A 100 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 100 A 80 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3