Infineon N-Kanal, MOSFET, 64 A 250 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3

RS-varenummer:: 898-6870
Producentens varenummer:: IPB200N25N3GATMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 64 A 250 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 107,34

(ekskl. moms)

Kr. 134,18

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

2.264 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
2 +	Kr. 53,67	Kr. 107,34

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 898-6870
Producentens varenummer:: IPB200N25N3GATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	64A
	Drain source spænding maks. Vds	250V
	Emballagetype	TO-263
	Serie	OptiMOS 3
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	20mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd	300W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	64nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gennemgangsspænding Vf	1V
	Portkildespænding maks.	-20V, +20V
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Længde	10.31mm
	Bredde	9.45mm
	Standarder/godkendelser	No
	Højde	4.57mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 64A
	Drain source spænding maks. Vds 250V
	Emballagetype TO-263
	Serie OptiMOS 3
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 20mΩ
	Kanalform Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd 300W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 64nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gennemgangsspænding Vf 1V
	Portkildespænding maks. -20V, +20V
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Længde 10.31mm
	Bredde 9.45mm
	Standarder/godkendelser No
	Højde 4.57mm
	Bilindustristandarder Nej

RoHS Status: Ikke relevant

Infineon OptiMOS™ MOSFET i 3-serien, 64A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 300W maksimal effektafledning - IPB200N25N3GATMA1

Denne N-kanals MOSFET er designet til effektiv strømstyring i forskellige elektroniske applikationer med en maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 64A og en spænding på 250V. Dens robuste termiske ydeevne og lave on-modstand bidrager til en effektiv elektrisk ydeevne over et bredt temperaturområde, hvilket gør den velegnet til højfrekvent switching og synkron ensretning.

Egenskaber og fordele

• Optimal gate-ladning x RDS(on)-produkt forbedrer effektiviteten

• Lav on-modstand minimerer strømtab under drift

• Driftstemperatur på op til +175 °C giver mulighed for forskellige anvendelser

• Overholder RoHS- og halogenfri standarder for miljøvenlig brug

• Kompakt D2PAK-design og overflademontering letter integrationen

• Kvalificeret i henhold til JEDEC for pålidelighed i målapplikationer

Anvendelsesområder

• Bruges i strømforsyninger til automatiseringssystemer

• Velegnet til højeffektive omformere i vedvarende energi

• Anvendes i motorstyring til industrimaskiner

• Ideel til synkron ensretning i stationære strømforsyninger

• Anvendes i elektriske køretøjer til effektiv energistyring

Hvilke forholdsregler skal man tage for at sikre optimal ydelse under installationen?

Det er vigtigt at have et effektivt varmestyringssystem til at aflede varmen og sikre, at enheden fungerer inden for de specificerede temperaturgrænser.

Kan denne komponent bruges i applikationer, der kræver hurtige skift?

Ja, den er velegnet til højfrekvente anvendelser som DC-DC-konvertere og drivere på grund af dens hurtige skifteevne.

Er der et specifikt kredsløbsdesign, der anbefales til optimal brug?

Et ordentligt gate-driverkredsløb kan forbedre ydeevnen, især med hensyn til tænd- og sluktider, hvilket er med til at reducere koblingstab.

Hvad skal man være opmærksom på med hensyn til miljøforhold under drift?

Sørg for, at den placeres i et miljø, hvor temperaturen holder sig inden for dens driftsgrænser på -55 °C til +175 °C for at forhindre termisk nedbrydning.

Hvordan klarer denne MOSFET sig under tung belastning?

Den håndterer effektivt en kontinuerlig afløbsstrøm på 64A, samtidig med at den opretholder en lav on-modstand, hvilket reducerer overophedning og forbedrer pålideligheden under belastning.