Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 64 A 250 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3 Nej IPB200N25N3GATMA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 109,28

(ekskl. moms)

Kr. 136,60

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.446 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 8Kr. 54,64Kr. 109,28
10 - 18Kr. 49,22Kr. 98,44
20 - 48Kr. 46,49Kr. 92,98
50 - 98Kr. 43,16Kr. 86,32
100 +Kr. 39,945Kr. 79,89

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
898-6870
Producentens varenummer:
IPB200N25N3GATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

64A

Drain source spænding maks. Vds

250V

Emballagetype

TO-263

Serie

OptiMOS 3

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

20mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1V

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

64nC

Effektafsættelse maks. Pd

300W

Driftstemperatur maks.

175°C

Bredde

9.45 mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

10.31mm

Højde

4.57mm

Bilindustristandarder

Nej

RoHS Status: Ikke relevant

Infineon OptiMOS™ MOSFET i 3-serien, 64A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 300W maksimal effektafledning - IPB200N25N3GATMA1


Denne N-kanals MOSFET er designet til effektiv strømstyring i forskellige elektroniske applikationer med en maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 64A og en spænding på 250V. Dens robuste termiske ydeevne og lave on-modstand bidrager til en effektiv elektrisk ydeevne over et bredt temperaturområde, hvilket gør den velegnet til højfrekvent switching og synkron ensretning.

Egenskaber og fordele


• Optimal gate-ladning x RDS(on)-produkt forbedrer effektiviteten

• Lav on-modstand minimerer strømtab under drift

• Driftstemperatur på op til +175 °C giver mulighed for forskellige anvendelser

• Overholder RoHS- og halogenfri standarder for miljøvenlig brug

• Kompakt D2PAK-design og overflademontering letter integrationen

• Kvalificeret i henhold til JEDEC for pålidelighed i målapplikationer

Anvendelsesområder


• Bruges i strømforsyninger til automatiseringssystemer

• Velegnet til højeffektive omformere i vedvarende energi

• Anvendes i motorstyring til industrimaskiner

• Ideel til synkron ensretning i stationære strømforsyninger

• Anvendes i elektriske køretøjer til effektiv energistyring

Hvilke forholdsregler skal man tage for at sikre optimal ydelse under installationen?


Det er vigtigt at have et effektivt varmestyringssystem til at aflede varmen og sikre, at enheden fungerer inden for de specificerede temperaturgrænser.

Kan denne komponent bruges i applikationer, der kræver hurtige skift?


Ja, den er velegnet til højfrekvente anvendelser som DC-DC-konvertere og drivere på grund af dens hurtige skifteevne.

Er der et specifikt kredsløbsdesign, der anbefales til optimal brug?


Et ordentligt gate-driverkredsløb kan forbedre ydeevnen, især med hensyn til tænd- og sluktider, hvilket er med til at reducere koblingstab.

Hvad skal man være opmærksom på med hensyn til miljøforhold under drift?


Sørg for, at den placeres i et miljø, hvor temperaturen holder sig inden for dens driftsgrænser på -55 °C til +175 °C for at forhindre termisk nedbrydning.

Hvordan klarer denne MOSFET sig under tung belastning?


Den håndterer effektivt en kontinuerlig afløbsstrøm på 64A, samtidig med at den opretholder en lav on-modstand, hvilket reducerer overophedning og forbedrer pålideligheden under belastning.

Relaterede links