Infineon N-Kanal, MOSFET, 17 A 250 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS-T AEC-Q101

RS-varenummer:: 826-9002
Producentens varenummer:: IPB17N25S3100ATMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 17 A 250 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS-T AEC-Q101

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 292,62

(ekskl. moms)

Kr. 365,78

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

780 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
20 +	Kr. 14,631	Kr. 292,62

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 826-9002
Producentens varenummer:: IPB17N25S3100ATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	17A
	Drain source spænding maks. Vds	250V
	Emballagetype	TO-263
	Serie	OptiMOS-T
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	100mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	14nC
	Portkildespænding maks.	-20V, +20V
	Gennemgangsspænding Vf	0.9V
	Effektafsættelse maks. Pd	107W
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Standarder/godkendelser	No
	Længde	10mm
	Højde	4.4mm
	Bredde	9.25mm
	Bilindustristandarder	AEC-Q101

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 17A
	Drain source spænding maks. Vds 250V
	Emballagetype TO-263
	Serie OptiMOS-T
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 100mΩ
	Kanalform Forbedring
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 14nC
	Portkildespænding maks. -20V, +20V
	Gennemgangsspænding Vf 0.9V
	Effektafsættelse maks. Pd 107W
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Standarder/godkendelser No
	Længde 10mm
	Højde 4.4mm
	Bredde 9.25mm
	Bilindustristandarder AEC-Q101

RoHS Status: Ikke relevant

Infineon OptiMOS-T seriens MOSFET, 250 V maksimal drain source-spænding, 17 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IPB17N25S3100ATMA1

Denne MOSFET er en overflademonteret N-kanal-forbedringsenhed, der er designet til højspændingsswitching i biler og industrielle strømsystemer. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er beregnet til anvendelser, der kræver robust termisk modstandsdygtighed og kontrolleret skifteydeevne uden detaljer om det mekaniske hus eller antal ben.

Egenskaber og fordele:

• 250 V mærkeværdi for afløb, der muliggør højspændingskontaktkapacitet
• 17 A kontinuerlig drænstrøm, der understøtter betydelige belastningsstrømme
• 100 mΩ maks. RDS(on) reducerer ledningstab i effekttrin
• 14 nC typisk gate-ladning for effektiv omskiftningskontrol
• 0,9 V føringsspændingssænkende diode konduktionsfald
• 107 W maks. effekttab muliggør drift med høj effekt

Anvendelser

• Velegnet til højspændings-DC-DC-omformere i køretøjer
• Ideel til motordrevne halvbroer i bilelektronik
• Anvendes sammen med strømstyringsmoduler i industrielle forsyninger
• Kan bruges til primære kontakter til switch-mode strømforsyning

Hvilke hensyn skal jeg tage til gate-drev for switching-ydeevne?

Brug en driver, der kan levere gate-ladningen inden for dit målrettede koblingsinterval

Den typiske 14 nC opladning giver dig mulighed for at anslå spidsstrøm og koblingstab for den valgte drevspænding.

Hvordan påvirker det termiske miljø kontinuerlig strømkapacitet?

Enhedens 107 W tabsværdi kræver tilstrækkeligt termisk printkortdesign og varmeafledning for at opretholde sikre samlingstemperaturer, når den bærer den specificerede 17 A kontinuerlig strøm.

Hvilke beskyttelsesgrænser gælder for enhedens port?

Sørg for, at gate-spændingen forbliver inden for ±20 V for at undgå overbelastning af gate-oxidet, og overvej transientundertrykkelse, hvis den udsættes for induktive skiftespidser.

Hvor tåler enheden koldstart og drift ved høje temperaturer?

Den er specificeret til at fungere fra lave biltemperaturer op til høje forhold, hvilket letter brugen i systemer, der oplever brede omgivelsestemperatursvingninger.