onsemi Type P-Kanal, MOSFET, 55 A 35 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, PowerTrench Nej FDD6637
- RS-varenummer:
- 759-9093
- Producentens varenummer:
- FDD6637
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 44,76
(ekskl. moms)
Kr. 55,95
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Manglende forsyning
- 3.165 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Vores nuværende beholdning er begrænset, og vores leverandører forventer mangel på det.
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 8,952 | Kr. 44,76 |
| 50 - 95 | Kr. 7,716 | Kr. 38,58 |
| 100 - 495 | Kr. 6,688 | Kr. 33,44 |
| 500 - 995 | Kr. 5,89 | Kr. 29,45 |
| 1000 + | Kr. 5,362 | Kr. 26,81 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 759-9093
- Producentens varenummer:
- FDD6637
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 55A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 35V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 19mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 45nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | -0.8V | |
| Portkildespænding maks. | 25 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 57W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.73mm | |
| Højde | 2.39mm | |
| Bredde | 6.22 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 55A | ||
Drain source spænding maks. Vds 35V | ||
Serie PowerTrench | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 19mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 45nC | ||
Gennemgangsspænding Vf -0.8V | ||
Portkildespænding maks. 25 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 57W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.73mm | ||
Højde 2.39mm | ||
Bredde 6.22 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Automotive P-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor tilbyder løsninger, der tager komplekse udfordringer på bilmarkedet op. Med en fuldkommen beherskelse af standarder inden for kvalitet, sikkerhed og pålidelighed.
MOSFET transistorer, PÅ Semi
På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.
På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.
Relaterede links
- onsemi P-Kanal 55 A 35 V DPAK (TO-252), PowerTrench FDD6637
- onsemi P-Kanal 6 3 ben PowerTrench FDD306P
- onsemi P-Kanal 8 3 ben PowerTrench FDD4685
- onsemi P-Kanal 10 3 ben PowerTrench FDD4141
- onsemi P-Kanal 6 3 ben PowerTrench FDD4243
- onsemi P-Kanal 11 A 30 V DPAK (TO-252), PowerTrench FDD6685
- onsemi P-Kanal 15 A 60 V DPAK (TO-252), PowerTrench FDD5614P
- onsemi N/P-Kanal-Kanal 20 A 40 V DPAK (TO-252), PowerTrench FDD8424H-F085A
