Infineon N-Kanal, MOSFET, 9,9 A 30 V, 8 ben, SOIC, HEXFET IRL6342PBF

RS-varenummer:: 760-4413
Producentens varenummer:: IRL6342PBF
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 9,9 A 30 V, 8 ben, SOIC, HEXFET IRL6342PBF

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 18,71

(ekskl. moms)

Kr. 23,39

(inkl. moms)

Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
5 - 20	Kr. 3,742	Kr. 18,71
25 +	Kr. 3,116	Kr. 15,58

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 760-4413
Producentens varenummer:: IRL6342PBF
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks.	9,9 A
	Drain source spænding maks.	30 V
	Serie	HEXFET
	Kapslingstype	SOIC
	Monteringstype	Overflademontering
	Benantal	8
	Drain source modstand maks.	19 mΩ
	Kanalform	Enhancement
	Maks. tærskelspænding for port	1.1V
	Mindste tærskelspænding for port	0.5V
	Effektafsættelse maks.	2,5 W
	Transistorkonfiguration	Enkelt
	Gate source spænding maks.	-12 V, +12 V
	Gate-ladning ved Vgs typisk	11 nC ved 4,5 V
	Transistormateriale	Si
	Antal elementer per chip	1
	Længde	5mm
	Bredde	4mm
	Driftstemperatur maks.	+150 °C
	Driftstemperatur min.	-55 °C
	Højde	1.5mm

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. 9,9 A
	Drain source spænding maks. 30 V
	Serie HEXFET
	Kapslingstype SOIC
	Monteringstype Overflademontering
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. 19 mΩ
	Kanalform Enhancement
	Maks. tærskelspænding for port 1.1V
	Mindste tærskelspænding for port 0.5V
	Effektafsættelse maks. 2,5 W
	Transistorkonfiguration Enkelt
	Gate source spænding maks. -12 V, +12 V
	Gate-ladning ved Vgs typisk 11 nC ved 4,5 V
	Transistormateriale Si
	Antal elementer per chip 1
	Længde 5mm
	Bredde 4mm
	Driftstemperatur maks. +150 °C
	Driftstemperatur min. -55 °C
	Højde 1.5mm

N-kanal Power MOSFET 30 V, Infineon

Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder til overflademontering og leadet pakker. Formfaktorerne kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.

MOSFET-transistorer, Infineon

Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Infineon N-Kanal, MOSFET, 9,9 A 30 V, 8 ben, SOIC, HEXFET IRL6342PBF

N-kanal Power MOSFET 30 V, Infineon

Relaterede links