onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 17 A 100 V Forbedring, 8 Ben, PQFN, PowerTrench
- RS-varenummer:
- 760-5918
- Producentens varenummer:
- FDMS8622
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 52,51
(ekskl. moms)
Kr. 65,64
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 16. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 10,502 | Kr. 52,51 |
| 50 - 95 | Kr. 9,05 | Kr. 45,25 |
| 100 - 495 | Kr. 7,84 | Kr. 39,20 |
| 500 - 995 | Kr. 6,896 | Kr. 34,48 |
| 1000 + | Kr. 6,268 | Kr. 31,34 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 760-5918
- Producentens varenummer:
- FDMS8622
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 17A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Emballagetype | PQFN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 97mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 5nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.8V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 31W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 5mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.05mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 17A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie PowerTrench | ||
Emballagetype PQFN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 97mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 5nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.8V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 31W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 5mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.05mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
PowerTrench® N-kanal MOSFET, 10 A til 19,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET transistorer, PÅ Semi
På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.
På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 17 A 100 V Forbedring PQFN, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 61 A 150 V Forbedring PQFN, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 57 A 100 V Forbedring PQFN, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 51 A 100 V Forbedring PQFN, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 126 A 25 V Forbedring PQFN-8, PowerTrench Power Clip
- onsemi Type N-Kanal 32 A 80 V Forbedring PQFN, NTMFS006N08MC
- onsemi Type N-Kanal 124 A 100 V Forbedring PQFN, FDMS86181
- onsemi Type N-Kanal 35 A 150 V Forbedring PowerTrench