STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 7.5 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, MDmesh M2
- RS-varenummer:
- 786-3763
- Producentens varenummer:
- STP10N60M2
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 53,86
(ekskl. moms)
Kr. 67,325
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 05. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 10,772 | Kr. 53,86 |
| 25 - 45 | Kr. 10,502 | Kr. 52,51 |
| 50 - 120 | Kr. 10,232 | Kr. 51,16 |
| 125 - 245 | Kr. 9,964 | Kr. 49,82 |
| 250 + | Kr. 9,694 | Kr. 48,47 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 786-3763
- Producentens varenummer:
- STP10N60M2
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 7.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | MDmesh M2 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 600mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 13.5nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 85W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.4mm | |
| Højde | 15.75mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 7.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie MDmesh M2 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 600mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 13.5nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 85W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.4mm | ||
Højde 15.75mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MDmesh™ M2 serien, STMicroelectronics
Et udvalg af højspændings power MOSFET fra STMicroelecronics. Med deres lave gate-ladning og fremragende udgangsegenskaber, er MDmesh M2 serien perfekt til brug i resonante switching strømforsyninger (LLC konvertere).
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 7.5 A 650 V Forbedring TO-220, MDmesh M2
- STMicroelectronics Type N-Kanal 3.5 A 650 V Forbedring TO-220, MDmesh M2
- STMicroelectronics Type N-Kanal 13 A 650 V Forbedring TO-220, MDmesh M2
- STMicroelectronics Type N-Kanal 18 A 650 V Forbedring TO-220, MDmesh M2
- STMicroelectronics Type N-Kanal 22 A 650 V Forbedring TO-220, MDmesh M2
- STMicroelectronics 1 Type N-Kanal Enkelt 5 A 650 V Forbedring TO-220, MDmesh M2
- STMicroelectronics 1 Type N-Kanal Enkelt 12 A 650 V Forbedring TO-220, MDmesh M2
- STMicroelectronics Type N-Kanal 26 A 650 V Forbedring TO-247, MDmesh M2