Vishay N-Kanal, MOSFET, 50 A 50 V, 3 ben, DPAK (TO-252), SQ Rugged AEC-Q101 SQD50N05-11L_GE3
- RS-varenummer:
- 787-9493
- Producentens varenummer:
- SQD50N05-11L_GE3
- Brand:
- Vishay
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 787-9493
- Producentens varenummer:
- SQD50N05-11L_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 50 A | |
| Drain source spænding maks. | 50 V | |
| Serie | SQ Rugged | |
| Kapslingstype | DPAK (TO-252) | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. | 24 mΩ | |
| Kanalform | Enhancement | |
| Mindste tærskelspænding for port | 1.5V | |
| Effektafsættelse maks. | 75 W | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Gate source spænding maks. | -20 V, +20 V | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Driftstemperatur maks. | +175 °C | |
| Bredde | 6.22mm | |
| Transistormateriale | Si | |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 34,6 nC ved 10 V | |
| Længde | 6.73mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Højde | 2.38mm | |
| Driftstemperatur min. | -55 °C | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. 50 A | ||
Drain source spænding maks. 50 V | ||
Serie SQ Rugged | ||
Kapslingstype DPAK (TO-252) | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. 24 mΩ | ||
Kanalform Enhancement | ||
Mindste tærskelspænding for port 1.5V | ||
Effektafsættelse maks. 75 W | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Gate source spænding maks. -20 V, +20 V | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Driftstemperatur maks. +175 °C | ||
Bredde 6.22mm | ||
Transistormateriale Si | ||
Gate-ladning ved Vgs typisk 34,6 nC ved 10 V | ||
Længde 6.73mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Højde 2.38mm | ||
Driftstemperatur min. -55 °C | ||
N-Channel MOSFET, robust SQ-serie til bilindustrien, Vishay Semiconductor
SQ-serien af MOSFETer fra Vishay Semiconductor er designet til alle biler, der kræver robusthed og høj pålidelighed.
Fordelene ved SQ robust serie af Mosfets
AEC-Q101 kvalificeret
Forbindelsestemperatur op til +175 °C
Lav modstand ved n- og p-kanal TrenchFET® teknologier
Innovative pladsbesparende huse
Forbindelsestemperatur op til +175 °C
Lav modstand ved n- og p-kanal TrenchFET® teknologier
Innovative pladsbesparende huse
Godkendelser
AEC-Q101
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 50 A 50 V DPAK (TO-252), SQ Rugged AEC-Q101 SQD50N05-11L_GE3
- Vishay N-Kanal 50 A 40 V DPAK (TO-252), SQ Rugged AEC-Q101 SQD50N04-4M5L-GE3
- Vishay N-Kanal 100 A 40 V DPAK (TO-252), SQ Rugged AEC-Q101 SQD100N04-3M6L_GE3
- Vishay N-Kanal 25 A 60 V DPAK (TO-252), SQ Rugged AEC-Q101 SQD25N06-22L_GE3
- Vishay N-Kanal 40 A 60 V DPAK (TO-252), SQ Rugged AEC-Q101 SQD40N06-14L_GE3
- Vishay N-Kanal 40 A 60 V DPAK (TO-252), SQ Rugged AEC-Q101 SQD40N06-14L-GE3
- Vishay P-Kanal 37 A 30 V DPAK (TO-252), SQ Rugged SQD45P03-12_GE3
- Vishay P-Kanal 11 A 60 V DPAK (TO-252), SQ Rugged SQD19P06-60L_GE3
