onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 2.8 A 20 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, MGSF2 Nej MGSF2N02ELT1G
- RS-varenummer:
- 792-5675
- Producentens varenummer:
- MGSF2N02ELT1G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 34,90
(ekskl. moms)
Kr. 43,62
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 1.740 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | Kr. 1,745 | Kr. 34,90 |
| 200 - 480 | Kr. 1,505 | Kr. 30,10 |
| 500 - 980 | Kr. 1,305 | Kr. 26,10 |
| 1000 - 1980 | Kr. 1,146 | Kr. 22,92 |
| 2000 + | Kr. 1,045 | Kr. 20,90 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 792-5675
- Producentens varenummer:
- MGSF2N02ELT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2.8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Serie | MGSF2 | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 115mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.6nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.25W | |
| Portkildespænding maks. | 8 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.01mm | |
| Længde | 3.04mm | |
| Bredde | 1.4 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Serie MGSF2 | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 115mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.6nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.25W | ||
Portkildespænding maks. 8 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.01mm | ||
Længde 3.04mm | ||
Bredde 1.4 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal Power MOSFET, 20 V, ON Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semiconductor
Relaterede links
- onsemi N-Kanal 2 3 ben, SOT-23 MGSF2N02ELT1G
- onsemi N-Kanal 2 3 ben, SOT-223 NDT014L
- onsemi N-Kanal 2 3 ben PowerTrench FDT86244
- DiodesZetex N-Kanal 2 3 ben DMG2302UK DMG2302UK-7
- Taiwan Semiconductor N-Kanal 2 3 ben, SOT-23 TSM2302CX RFG
- onsemi N-Kanal 750 mA 20 V SOT-23 MGSF1N02LT1G
- onsemi N-Kanal 1 3 ben, SOT-23 NDS331N
- onsemi N-Kanal 3 3 ben, SOT-23 NTR4501NT1G
