Taiwan Semiconductor N-Kanal, MOSFET, 2,8 A 20 V, 3 ben, SOT-23 TSM2302CX RFG
- RS-varenummer:
- 398-423
- Producentens varenummer:
- TSM2302CX RFG
- Brand:
- Taiwan Semiconductor
11600 På lager til afsendelse samme dag
Dag til dag levering ikke mulig
Tilføjet
Pris pr. stk. (Leveres i pakke af 50)
Kr. 1,227
(ekskl. moms)
Kr. 1,534
(inkl. moms)
| Enheder | Pr stk. | Pr pakke* |
| 50 - 200 | Kr. 1,227 | Kr. 61,35 |
| 250 - 450 | Kr. 1,034 | Kr. 51,70 |
| 500 - 950 | Kr. 0,968 | Kr. 48,40 |
| 1000 - 2450 | Kr. 0,91 | Kr. 45,50 |
| 2500 + | Kr. 0,86 | Kr. 43,00 |
- RS-varenummer:
- 398-423
- Producentens varenummer:
- TSM2302CX RFG
- Brand:
- Taiwan Semiconductor
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
N-kanal Power MOSFET, Taiwan Semiconductor
MOSFET-transistorer, Taiwan Semiconductor
Egenskaber
Attribute | Value |
|---|---|
| Kanaltype | N |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 2,8 A |
| Drain source spænding maks. | 20 V |
| Kapslingstype | SOT-23 |
| Monteringstype | Overflademontering |
| Benantal | 3 |
| Drain source modstand maks. | 65 mΩ |
| Kanalform | Enhancement |
| Maks. tærskelspænding for port | 1.2V |
| Effektafsættelse maks. | 900 mW |
| Transistorkonfiguration | Enkelt |
| Gate source spænding maks. | -8 V, +8 V |
| Driftstemperatur maks. | +150 °C |
| Længde | 3.05mm |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 3,69 nC ved 4,5 V |
| Bredde | 1.4mm |
| Transistormateriale | Si |
| Antal elementer per chip | 1 |
| Højde | 0.95mm |
| Driftstemperatur min. | -55 °C |
- RS-varenummer:
- 398-423
- Producentens varenummer:
- TSM2302CX RFG
- Brand:
- Taiwan Semiconductor