IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 18 A 1 kV Forbedring, 3 Ben, TO-247 Nej IXFH18N100Q3

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 155,47

(ekskl. moms)

Kr. 194,34

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 10. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 4Kr. 155,47
5 - 9Kr. 133,89
10 - 29Kr. 128,21
30 - 89Kr. 118,71
90 +Kr. 112,50

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
801-1382
Producentens varenummer:
IXFH18N100Q3
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

18A

Drain source spænding maks. Vds

1kV

Emballagetype

TO-247

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

660mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

830W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

90nC

Gennemgangsspænding Vf

1.4V

Portkildespænding maks.

30 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

16.26mm

Højde

16.26mm

Bredde

5.3 mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 serien


IXYS Q3-klassen af HiperFET™ effekt-MOSFET'er er velegnet til både hårde tilkoblings- og resonans-mode-anvendelser og giver lave portopladning med uovertruffen holdbarhed. Enhederne har en fast, egensikker diode og findes i en række branchestandardpakker, inklusive isolerede typer, med effekter på op til 1100 V og 70 A. Typiske anvendelser omfatter DC-DC-konvertere, batteriopladere, switch-mode- og resonans-mode-strømforsyninger, DC-snittere, temperatur- og lysstyring.

Hurtig, egensikker ensretterdiode

Lav RDS (til) og QG (portopladning)

Lav egensikker portmodstand

Huse i industristandard

Lav pakkeselvinduktion

Høj effekttæthed

MOSFET-transistorer, IXYS


EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS

Relaterede links