IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 70 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-247 Nej IXFH70N20Q3

Se alle MOSFET

Indhold (1 enhed)*

Kr. 115,57

(ekskl. moms)

Kr. 144,46

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 358 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 +Kr. 115,57

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
801-1392
Producentens varenummer:
IXFH70N20Q3
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

70A

Drain source spænding maks. Vds

200V

Emballagetype

TO-247

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

40mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.5V

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

67nC

Effektafsættelse maks. Pd

690W

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

16.26mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

16.26mm

Bredde

5.3 mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 serien


IXYS Q3-klassen af HiperFET™ effekt-MOSFET'er er velegnet til både hårde tilkoblings- og resonans-mode-anvendelser og giver lave portopladning med uovertruffen holdbarhed. Enhederne har en fast, egensikker diode og findes i en række branchestandardpakker, inklusive isolerede typer, med effekter på op til 1100 V og 70 A. Typiske anvendelser omfatter DC-DC-konvertere, batteriopladere, switch-mode- og resonans-mode-strømforsyninger, DC-snittere, temperatur- og lysstyring.

Hurtig, egensikker ensretterdiode

Lav RDS (til) og QG (portopladning)

Lav egensikker portmodstand

Huse i industristandard

Lav pakkeselvinduktion

Høj effekttæthed

MOSFET-transistorer, IXYS


EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS

Relaterede links