onsemi N-Kanal, MOSFET, 9 A 60 V, 3 ben, DPAK (TO-252) NTD3055L170T4G
- RS-varenummer:
- 802-1493P
- Producentens varenummer:
- NTD3055L170T4G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 200,75
(ekskl. moms)
Kr. 250,95
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 50 - 75 | Kr. 4,015 |
| 100 - 225 | Kr. 3,919 |
| 250 - 475 | Kr. 3,816 |
| 500 + | Kr. 3,726 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 802-1493P
- Producentens varenummer:
- NTD3055L170T4G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 9 A | |
| Drain source spænding maks. | 60 V | |
| Kapslingstype | DPAK (TO-252) | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. | 170 mΩ | |
| Kanalform | Enhancement | |
| Maks. tærskelspænding for port | 2V | |
| Effektafsættelse maks. | 28,5 W | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Gate source spænding maks. | -20 V, +20 V | |
| Driftstemperatur maks. | +175 °C | |
| Længde | 6.73mm | |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 4,7 nC ved 5 V | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Transistormateriale | Si | |
| Bredde | 6.22mm | |
| Højde | 2.38mm | |
| Driftstemperatur min. | -55 °C | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. 9 A | ||
Drain source spænding maks. 60 V | ||
Kapslingstype DPAK (TO-252) | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. 170 mΩ | ||
Kanalform Enhancement | ||
Maks. tærskelspænding for port 2V | ||
Effektafsættelse maks. 28,5 W | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Gate source spænding maks. -20 V, +20 V | ||
Driftstemperatur maks. +175 °C | ||
Længde 6.73mm | ||
Gate-ladning ved Vgs typisk 4,7 nC ved 5 V | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Transistormateriale Si | ||
Bredde 6.22mm | ||
Højde 2.38mm | ||
Driftstemperatur min. -55 °C | ||
Relaterede links
- onsemi N-Kanal 20 A 60 V DPAK (TO-252) NTD20N06LT4G
- onsemi N-Kanal 17 A 60 V DPAK (TO-252), QFET FQD20N06TM
- onsemi N-Kanal 20 A 60 V DPAK (TO-252), UltraFET HUFA76429D3ST-F085
- onsemi N-Kanal 5 3 ben, DPAK (TO-252) NDD05N50ZT4G
- onsemi N-Kanal 117 A 30 V DPAK (TO-252) NTD4804NT4G
- onsemi P-Kanal 5.4 A 60 V DPAK (TO-252) FQD7P06TM
- onsemi N-Kanal 1 A 800 V DPAK (TO-252), QFET FQD1N80TM
- onsemi N-Kanal 1 3 ben QFET FQD2N80TM