onsemi P-Kanal, MOSFET, 5.4 A 60 V, 3 ben, DPAK (TO-252) FQD7P06TM
- RS-varenummer:
- 671-1030
- Producentens varenummer:
- FQD7P06TM
- Brand:
- onsemi
Ikke tilgængelig
RS lagerfører ikke længere dette produkt
- RS-varenummer:
- 671-1030
- Producentens varenummer:
- FQD7P06TM
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 5.4 A | |
| Drain source spænding maks. | 60 V | |
| Kapslingstype | DPAK (TO-252) | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. | 451 mΩ | |
| Kanalform | Enhancement | |
| Mindste tærskelspænding for port | 2V | |
| Effektafsættelse maks. | 2500 mW | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Gate source spænding maks. | -25 V, +25 V | |
| Transistormateriale | Si | |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 6,3 nC ved 10 V | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Driftstemperatur maks. | +150 °C | |
| Bredde | 6.22mm | |
| Længde | 6.73mm | |
| Højde | 2.39mm | |
| Driftstemperatur min. | -55 °C | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. 5.4 A | ||
Drain source spænding maks. 60 V | ||
Kapslingstype DPAK (TO-252) | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. 451 mΩ | ||
Kanalform Enhancement | ||
Mindste tærskelspænding for port 2V | ||
Effektafsættelse maks. 2500 mW | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Gate source spænding maks. -25 V, +25 V | ||
Transistormateriale Si | ||
Gate-ladning ved Vgs typisk 6,3 nC ved 10 V | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Driftstemperatur maks. +150 °C | ||
Bredde 6.22mm | ||
Længde 6.73mm | ||
Højde 2.39mm | ||
Driftstemperatur min. -55 °C | ||
Forbedringstilstand P-kanal MOSFET, ON on Semiconductor
On Semiconductors-serien af P-kanal MOSFET'er er fremstillet ved hjælp af Semi's navnebeskyttede DMC-teknologi med høj celledensitet. Denne proces med meget høj tæthed er designet til at minimere modstand i tilstanden for at give en robust og pålidelig ydeevne til hurtig omskiftning.
Egenskaber og fordele:
Spændingsstyret kontakt til lille P-kanal
tætpakket celledesign
høj mætningsstrøm
overlegent skift
Fantastisk robust og pålidelig ydeevne
DMOS-teknologi
tætpakket celledesign
høj mætningsstrøm
overlegent skift
Fantastisk robust og pålidelig ydeevne
DMOS-teknologi
Anvendelsesområder:
Belastningsskift
DC/DC-omformer
Batteribeskyttelse
Strømstyring
styring af DC-motor
DC/DC-omformer
Batteribeskyttelse
Strømstyring
styring af DC-motor
MOSFET transistorer, PÅ Semi
På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.
På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.
På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.
Relaterede links
- onsemi P-Kanal 15.5 A 60 V DPAK (TO-252) NTD20P06LT4G
- onsemi P-Kanal 12 A 60 V DPAK (TO-252) FQD17P06TM
- onsemi P-Kanal 12 A 60 V DPAK (TO-252) NTD2955T4G
- onsemi P-Kanal 9 3 ben, DPAK (TO-252) FQD11P06TM
- onsemi P-Kanal 15 3 ben, DPAK (TO-252) NTD20P06LT4G
- onsemi P-Kanal 15 A 60 V DPAK (TO-252), PowerTrench FDD5614P
- onsemi N-Kanal 155 A 60 V, DPAK (TO-252) NTD5C632NLT4G
- Vishay P-Kanal 8 DPAK (TO-252) IRFR9024PBF
