onsemi N/P-Kanal-Kanal, MOSFET, 20 A 40 V, 5 ben, DPAK (TO-252), PowerTrench FDD8424H-F085A

Se alle MOSFET
Ikke tilgængelig
RS lagerfører ikke længere dette produkt
RS-varenummer:
166-2045
Producentens varenummer:
FDD8424H-F085A
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kanaltype

N, P

Drain-strøm kontinuerlig maks.

20 A

Drain source spænding maks.

40 V

Serie

PowerTrench

Kapslingstype

DPAK (TO-252)

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

5

Drain source modstand maks.

37 mΩ, 80 mΩ

Kanalform

Enhancement

Maks. tærskelspænding for port

3V

Mindste tærskelspænding for port

1V

Effektafsættelse maks.

30 W, 35 W

Transistorkonfiguration

Fælles skærm

Gate source spænding maks.

-20 V, +20 V

Antal elementer per chip

2

Driftstemperatur maks.

+150 °C

Transistormateriale

Si

Længde

6.73mm

Gate-ladning ved Vgs typisk

14 nC ved 10 V, 17 nC ved 10 V

Bredde

6.22mm

Driftstemperatur min.

-55 °C

Højde

2.39mm

COO (Country of Origin):
US

PowerTrench® Dual N/P-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor


PowerTrench® MOSFET'er er optimerede strømkontakter, der forøger systemets effektivitet og effekttæthed. De kombinerer lille gate-opladning (Qg), lille omvendt genoprettelsesstrøm (Qrr) og blød omvendt genopretnings-husdiode, som bidrager til hurtigt skift af synkron ensretning i AC/DC-strømforsyninger.
De nyeste PowerTrench® MOSFET'er anvender skærmet gate-struktur, der sikrer ladebalance. Ved at udnytte denne avancerede teknologi er FOM (Figure of Merit) for disse enheder betydeligt lavere end i den tidligere generation.
Blød husdiode-ydeevne for PowerTrench® MOSFET'er er i stand til at eliminere dæmperkredsløb eller erstatte en MOSFET med højere nominel spænding.


MOSFET transistorer, PÅ Semi


På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.
På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.

Relaterede links