IXYS N-Kanal, MOSFET, 28 A 600 V, 3 ben, TO-3PN, HiperFET, Polar3 IXFQ28N60P3

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
RS-varenummer:
802-4451
Producentens varenummer:
IXFQ28N60P3
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks.

28 A

Drain source spænding maks.

600 V

Kapslingstype

TO-3PN

Serie

HiperFET, Polar3

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks.

260 mΩ

Kanalform

Enhancement

Maks. tærskelspænding for port

5V

Effektafsættelse maks.

695 W

Transistorkonfiguration

Enkelt

Gate source spænding maks.

-30 V, +30 V

Antal elementer per chip

1

Længde

15.8mm

Gate-ladning ved Vgs typisk

50 nC ved 10 V

Driftstemperatur maks.

+150 °C

Bredde

4.9mm

Transistormateriale

Si

Driftstemperatur min.

-55 °C

Højde

20.3mm

N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ serien


Et udvalg af IXYS Polar3™ seriens N-kanal effekt-MOSFET'er med hurtig egensikker diode (HiPerFET™)

MOSFET-transistorer, IXYS


EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS

Relaterede links