IXYS N-Kanal, MOSFET, 94 A 300 V, 3 ben, TO-3PN, HiperFET, Polar3 IXFQ94N30P3
- RS-varenummer:
- 802-4470P
- Producentens varenummer:
- IXFQ94N30P3
- Brand:
- IXYS
21 På lager til afsendelse samme dag
Dag til dag levering ikke mulig
Tilføjet
Pris pr. stk. Pr. stk. (Leveres i Rør)
Kr. 90,51
(ekskl. moms)
Kr. 113,14
(inkl. moms)
| Enheder | Pr stk. |
| 1 + | Kr. 90,51 |
- RS-varenummer:
- 802-4470P
- Producentens varenummer:
- IXFQ94N30P3
- Brand:
- IXYS
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ serien
Et udvalg af IXYS Polar3™ seriens N-kanal effekt-MOSFET'er med hurtig egensikker diode (HiPerFET™)
MOSFET-transistorer, IXYS
EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS
Egenskaber
Attribute | Value |
|---|---|
| Kanaltype | N |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 94 A |
| Drain source spænding maks. | 300 V |
| Serie | HiperFET, Polar3 |
| Kapslingstype | TO-3PN |
| Monteringstype | Hulmontering |
| Benantal | 3 |
| Drain source modstand maks. | 36 mΩ |
| Kanalform | Enhancement |
| Maks. tærskelspænding for port | 5V |
| Effektafsættelse maks. | 1,04 kW |
| Transistorkonfiguration | Enkelt |
| Gate source spænding maks. | -20 V, +20 V |
| Længde | 15.8mm |
| Bredde | 4.9mm |
| Driftstemperatur maks. | +150 °C |
| Antal elementer per chip | 1 |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 102 nC ved 10 V |
| Transistormateriale | Si |
| Højde | 20.3mm |
| Driftstemperatur min. | -55 °C |