onsemi Type P-Kanal, MOSFET, 8.4 A 20 V Forbedring, 3 Ben, SOT-223, NVF6P02 AEC-Q101 NVF6P02T3G
- RS-varenummer:
- 805-1996
- Producentens varenummer:
- NVF6P02T3G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 bånd af 10 enheder)*
Kr. 70,31
(ekskl. moms)
Kr. 87,89
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Manglende forsyning
- Plus 3.420 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Vores nuværende beholdning er begrænset, og vores leverandører forventer mangel på det.
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 7,031 | Kr. 70,31 |
| 100 - 240 | Kr. 6,059 | Kr. 60,59 |
| 250 - 490 | Kr. 5,251 | Kr. 52,51 |
| 500 - 990 | Kr. 4,615 | Kr. 46,15 |
| 1000 + | Kr. 4,204 | Kr. 42,04 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 805-1996
- Producentens varenummer:
- NVF6P02T3G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 8.4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | SOT-223 | |
| Serie | NVF6P02 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 70mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 15nC | |
| Portkildespænding maks. | ±8 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 8.3W | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 6.7mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.65mm | |
| Bredde | 3.7 mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8.4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype SOT-223 | ||
Serie NVF6P02 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 70mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 15nC | ||
Portkildespænding maks. ±8 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 8.3W | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 6.7mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.65mm | ||
Bredde 3.7 mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
P-kanal Power MOSFET, 20 V, ON Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semiconductor
Relaterede links
- onsemi P-Kanal 8 3 ben, SOT-223 NVF6P02T3G
- onsemi P-Kanal 8 3 ben, SOT-223 NTF6P02T3G
- onsemi P-Kanal 2.6 A 60 V SOT-223 NTF2955T1G
- onsemi P-Kanal 2 3 ben, SOT-223 NTF2955T1G
- onsemi P-Kanal 5 A 30 V SOT-223 NDT452AP
- onsemi P-Kanal 2 3 ben, SOT-223 NDT2955
- onsemi P-Kanal 7 3 ben, SOT-223 NDT456P
- onsemi P-Kanal 2 3 ben, SOT-223 NTF5P03T3G
