onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 3 A 60 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 805-8717
- Producentens varenummer:
- NVF3055L108T1G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 25 enheder)*
Kr. 152,30
(ekskl. moms)
Kr. 190,375
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 275 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | Kr. 6,092 | Kr. 152,30 |
| 100 - 225 | Kr. 5,254 | Kr. 131,35 |
| 250 + | Kr. 4,554 | Kr. 113,85 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 805-8717
- Producentens varenummer:
- NVF3055L108T1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | SOT-223 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 120mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 7.6nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.1W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.87V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.65mm | |
| Længde | 6.7mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype SOT-223 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 120mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 7.6nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.1W | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.87V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.65mm | ||
Længde 6.7mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
N-kanal Power MOSFET, 60 V, ON Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semiconductor
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 3 A 60 V Forbedring SOT-223 AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 3 A 60 V Forbedring SOT-223, NTF3055L108 AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 3 A 60 V Forbedring SOT-223
- onsemi Type N-Kanal 4 A 60 V Forbedring SOT-223, NDT
- onsemi Type N-Kanal 2.8 A 60 V Forbedring SOT-223, NDT
- Infineon Type N-Kanal 1.8 A 60 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 2.9 A 60 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 8 A 60 V Forbedring SOT-223, DMN AEC-Q101