onsemi 2 Type P, Type N-Kanal Isoleret, MOSFET, 6.4 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench Nej FDS8958B

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 55,28

(ekskl. moms)

Kr. 69,10

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 400 enhed(er) afsendes fra 09. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 5,528Kr. 55,28
100 - 490Kr. 3,994Kr. 39,94
500 - 990Kr. 3,351Kr. 33,51
1000 - 2490Kr. 2,857Kr. 28,57
2500 +Kr. 2,655Kr. 26,55

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
806-3674
Producentens varenummer:
FDS8958B
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P, Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

6.4A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

PowerTrench

Emballagetype

SOIC

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

80mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

0.8V

Effektafsættelse maks. Pd

2W

Portkildespænding maks.

±25 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

12nC

Transistorkonfiguration

Isoleret

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1.575mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

3.9 mm

Længde

4.9mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

PowerTrench® Dual N/P-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor


PowerTrench® MOSFET'er er optimerede strømkontakter, der forøger systemets effektivitet og effekttæthed. De kombinerer lille gate-opladning (Qg), lille omvendt genoprettelsesstrøm (Qrr) og blød omvendt genopretnings-husdiode, som bidrager til hurtigt skift af synkron ensretning i AC/DC-strømforsyninger.

De nyeste PowerTrench® MOSFET'er anvender skærmet gate-struktur, der sikrer ladebalance. Ved at udnytte denne avancerede teknologi er FOM (Figure of Merit) for disse enheder betydeligt lavere end i den tidligere generation.

Blød husdiode-ydeevne for PowerTrench® MOSFET'er er i stand til at eliminere dæmperkredsløb eller erstatte en MOSFET med højere nominel spænding.

MOSFET transistorer, PÅ Semi


På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.

På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.

Relaterede links