onsemi Type P-Kanal, MOSFET, 1.3 A 20 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101 NTR1P02LT3G
- RS-varenummer:
- 808-0060
- Producentens varenummer:
- NTR1P02LT3G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 bånd af 200 enheder)*
Kr. 136,80
(ekskl. moms)
Kr. 171,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Manglende forsyning
- 8.400 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Vores nuværende beholdning er begrænset, og vores leverandører forventer mangel på det.
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 200 - 200 | Kr. 0,684 | Kr. 136,80 |
| 400 - 800 | Kr. 0,629 | Kr. 125,80 |
| 1000 - 1800 | Kr. 0,592 | Kr. 118,40 |
| 2000 + | Kr. 0,544 | Kr. 108,80 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 808-0060
- Producentens varenummer:
- NTR1P02LT3G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 350mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | ±12 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 400mW | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 3.1nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.01mm | |
| Længde | 3.04mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 1.4 mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 350mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. ±12 V | ||
Gennemgangsspænding Vf -1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 400mW | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 3.1nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.01mm | ||
Længde 3.04mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 1.4 mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
P-kanal Power MOSFET, 20 V, ON Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semiconductor
Relaterede links
- onsemi P-Kanal 1 3 ben, SOT-23 NTR1P02LT3G
- onsemi P-Kanal 1 3 ben, SOT-23 AEC-Q101 NTR1P02LT1G
- onsemi P-Kanal 1 3 ben PowerTrench FDN352AP
- onsemi N-Kanal 1 3 ben, SOT-23 NDS331N
- onsemi N/P-Kanal-Kanal 1 6 ben, SOT-363 NTJD1155LT1G
- onsemi P-Kanal 1 3 ben, SOT-323 NTS4173PT1G
- onsemi P-Kanal 1 A 20 V SOT-23 NVR1P02T1G
- onsemi P-Kanal 1 A 20 V SOT-23 NTR1P02T1G
