Wolfspeed N-Kanal, MOSFET, 31 A 1200 V, 3 ben, TO-247 C2M0080120D

RS-varenummer:: 809-8991
Producentens varenummer:: C2M0080120D
Brand:: Wolfspeed

Wolfspeed N-Kanal, MOSFET, 31 A 1200 V, 3 ben, TO-247 C2M0080120D

5 På lager for afsendelse samme dag

248 enheder til afsendelse inden for 1 arbejdsdag(e) (UK lager)

Tilføjet

Pris pr. stk. (Leveres Pr. stk.)

Kr. 202,78

(ekskl. moms)

Kr. 253,48

(inkl. moms)

Enheder	Pr stk.
1 - 5	Kr. 202,78
6 - 14	Kr. 189,62
15 +	Kr. 184,98

RS-varenummer:: 809-8991
Producentens varenummer:: C2M0080120D
Brand:: Wolfspeed

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

COO (Country of Origin):: CN

Generel produktinformation

Wolfspeed siliciumkarbid Power-MOSFET'er

Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ siliciumkarbid Power-MOSFET'er En serie af andengenerations SiC MOSFET'er fra Crees effektafdeling Wolfspeed, der leverer branchens førende effekttæthed og skifte-effektivitet. Disse SiC-enheder med lav kapacitet giver mulighed for højere skiftefrekvenser og har mindre behov for køling, hvilket forbedrer den samlede virkningsgrad for systemet

• Optimeret tilstand for N-kanal SiC-teknologi
• Høj drain-source gennemslagsspændinger – op til 1200 V
• Flere enheder kan nemt forbindes parallelt og er enkle at drive
• Højhastigheds-switching med lav modstand
• Latchup-resistent drift

MOSFET-transistorer, Wolfspeed

Egenskaber

Attribute	Value
Kanaltype	N
Drain-strøm kontinuerlig maks.	31 A
Drain source spænding maks.	1200 V
Kapslingstype	TO-247
Monteringstype	Hulmontering
Benantal	3
Drain source modstand maks.	208 mΩ
Kanalform	Enhancement
Maks. tærskelspænding for port	3.2V
Mindste tærskelspænding for port	1.7V
Effektafsættelse maks.	208 W
Transistorkonfiguration	Enkelt
Gate source spænding maks.	-10 V, +25 V
Antal elementer per chip	1
Bredde	5.21mm
Gate-ladning ved Vgs typisk	49,2 pF ved 20 V
Længde	16.13mm
Driftstemperatur maks.	+150 °C
Transistormateriale	SiC
Højde	21.1mm
Driftstemperatur min.	-55 °C

RS-varenummer:: 809-8991
Producentens varenummer:: C2M0080120D
Brand:: Wolfspeed