Vishay N-Kanal, MOSFET, 18 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-262, SiHF640L
- RS-varenummer:
- 815-2635
- Producentens varenummer:
- SIHF640L-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 136,14
(ekskl. moms)
Kr. 170,18
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 05. maj 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 13,614 | Kr. 136,14 |
| 50 - 90 | Kr. 12,798 | Kr. 127,98 |
| 100 - 240 | Kr. 11,572 | Kr. 115,72 |
| 250 - 490 | Kr. 10,906 | Kr. 109,06 |
| 500 + | Kr. 10,218 | Kr. 102,18 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 815-2635
- Producentens varenummer:
- SIHF640L-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 18A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Serie | SiHF640L | |
| Emballagetype | TO-262 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 180mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 130W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 70nC | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 4.83mm | |
| Højde | 11.3mm | |
| Længde | 10.67mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 18A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Serie SiHF640L | ||
Emballagetype TO-262 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 180mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 130W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 70nC | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 4.83mm | ||
Højde 11.3mm | ||
Længde 10.67mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal MOSFET, 200 V til 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 18 A 200 V Forbedring TO-262, SiHF640L
- Infineon N-Kanal 33 A 100 V Forbedring TO-262, HEXFET
- Infineon N-Kanal 195 A 40 V Forbedring TO-262, HEXFET
- Infineon N-Kanal 97 A 100 V Forbedring TO-262, StrongIRFET
- Infineon N-Kanal 80 A 100 V Forbedring TO-262, OptiMOS 3
- Vishay N-Kanal 18 A 650 V Forbedring JEDEC TO-220AB, EF
- Infineon N-Kanal 120 A 80 V Forbedring TO-262, IPI AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 72 A 200 V HEXFET