Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 80 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-262, OptiMOS 3

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 74,05

(ekskl. moms)

Kr. 92,55

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.175 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 +Kr. 14,81Kr. 74,05

*Vejledende pris

RS-varenummer:
892-2166
Producentens varenummer:
IPI086N10N3GXKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

80A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

TO-262

Serie

OptiMOS 3

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

15.4mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

125W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

42nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

11.177mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

4.57 mm

Længde

10.36mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon OptiMOS™ MOSFET i 3-serien, 80A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 125W maksimal effektafledning - IPI086N10N3GXKSA1


Denne MOSFET er designet til højeffektive strømstyringsapplikationer og er velegnet til forskellige sektorer, herunder automatisering og elektronik. Med en kontinuerlig drain-strøm på 80A og en maksimal drain-source-spænding på 100V er den en pålidelig og effektiv løsning til elektroniske systemer.

Egenskaber og fordele


• N-kanal-design optimerer den elektriske ydeevne

• Lav RDS(on) reducerer strømtab

• Højt strømforbrug til intensive anvendelser

• Forbedret gate-tærskel forbedrer skifteeffektiviteten

• Montering gennem huller gør det nemt at integrere i kredsløb

Anvendelsesområder


• Bruges til højfrekvente skift i strømforsyninger

• Muliggør synkron ensretning i omformerkredsløb

• Velegnet til industrielle automatiseringssystemer, der kræver effektiv strømstyring

• Anvendes i forskellige elektroniske enheder for at forbedre energieffektiviteten

• Velegnet til bilindustrien kræver konsekvent præstation

Hvad er betydningen af den lave RDS(on) i denne enhed?


Den lave RDS(on)-værdi minimerer energitab under skift, hvilket øger den samlede systemydelse.

Hvordan håndterer MOSFET'en høje temperaturer?


Den er designet til at fungere ved temperaturer på op til 175 °C, hvilket sikrer en ensartet ydelse selv under udfordrende miljøforhold.

Hvilken monteringstype kræver denne komponent?


Den har et monteringsdesign med gennemgående huller, som gør det nemt at integrere den i eksisterende PCB-layouts.

Er den egnet til brug i synkron ensretning?


Ja, den er specielt designet til effektiv synkron ensretning i effektelektronik, hvilket fremmer generelle energibesparelser.

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFET'er, 100 V og derover


MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links