Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 80 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-262, OptiMOS 3

Se alle MOSFET

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 360,85

(ekskl. moms)

Kr. 451,05

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 +Kr. 7,217Kr. 360,85

*Vejledende pris

RS-varenummer:
145-9306
Producentens varenummer:
IPI086N10N3GXKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

80A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

TO-262

Serie

OptiMOS 3

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

15.4mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

42nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

125W

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

11.177mm

Bredde

4.57 mm

Længde

10.36mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

Infineon OptiMOS™ MOSFET i 3-serien, 80A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 125W maksimal effektafledning - IPI086N10N3GXKSA1


Denne MOSFET er designet til højeffektive strømstyringsapplikationer og er velegnet til forskellige sektorer, herunder automatisering og elektronik. Med en kontinuerlig drain-strøm på 80A og en maksimal drain-source-spænding på 100V er den en pålidelig og effektiv løsning til elektroniske systemer.

Egenskaber og fordele


• N-kanal-design optimerer den elektriske ydeevne

• Lav RDS(on) reducerer strømtab

• Højt strømforbrug til intensive anvendelser

• Forbedret gate-tærskel forbedrer skifteeffektiviteten

• Montering gennem huller gør det nemt at integrere i kredsløb

Anvendelsesområder


• Bruges til højfrekvente skift i strømforsyninger

• Muliggør synkron ensretning i omformerkredsløb

• Velegnet til industrielle automatiseringssystemer, der kræver effektiv strømstyring

• Anvendes i forskellige elektroniske enheder for at forbedre energieffektiviteten

• Velegnet til bilindustrien kræver konsekvent præstation

Hvad er betydningen af den lave RDS(on) i denne enhed?


Den lave RDS(on)-værdi minimerer energitab under skift, hvilket øger den samlede systemydelse.

Hvordan håndterer MOSFET'en høje temperaturer?


Den er designet til at fungere ved temperaturer på op til 175 °C, hvilket sikrer en ensartet ydelse selv under udfordrende miljøforhold.

Hvilken monteringstype kræver denne komponent?


Den har et monteringsdesign med gennemgående huller, som gør det nemt at integrere den i eksisterende PCB-layouts.

Er den egnet til brug i synkron ensretning?


Ja, den er specielt designet til effektiv synkron ensretning i effektelektronik, hvilket fremmer generelle energibesparelser.

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFET'er, 100 V og derover


MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links